请教 双极型IC设计与MOS IC设计

双极只能通过电流来控制吧?

在设计时 要设计改变哪几个参数呢?
MOS管是 W 和 L。

双极的gm和Io是和Ic直接相关的。我觉得改变Ic可以控制双极管子。

设计发射极面积啊

发射极面积的大小不能改变gm和ro，对增益影响不大。
发射极面积影响的是电流镜比例，vbe的绝对值和delta vbe。

bipolar不是表面结构器件,是纵向为主的器件,当然也有横向管
纵向结构不是电路设计能决定的，包括发射区掺杂浓度，基区掺杂浓度，发射区基区掺杂比，基区宽度，集电区浓度和宽度等
影响bipolar的beta，ro，vbe，ft，break down voltage等
所以做bipolar设计和CMOS的不太一样，按照PDK中提供的device来做，想设计gm就改变电流，想改变vbe就设计电流密度

大家说的还是没看明白。没有做过bioplar的设计，不知在cadence的model中修改哪几个参数来改变gm?