ESD 问题-用高压器件保护中压器件合适吗

高压?有多高?
一般高压20～30V，厉害的有300V之类的工艺
不过ESD是几KV的量级
ESD响应时间看看台湾的论文吧

谢谢你的恢复
ESD的上升时间很短,HBM时,为1-10N,
在PAD 上的电路损伤有电流损伤,也可能是电压损伤
但在内部的电路,只有地线与PAD的地线相连,
所以,只可能是电压损伤,那这个电压传输到内部的
形式是以什么形式呢?电磁波吗,

但是pad的ESD一般都会加限流电阻到内部电路
怎么解释呢

传输的时候是以电流形式传输的，如果电流过大会引起发热，导致器件烧毁。只要保证IT2的值大于最大电流，并且可以开启保护器件就可以！一般用做高压保护的器件由两级构成，对内部电路的速度影响显而易见。所以要权衡得失啊！

可能ESD电路很强，导致打了ESD后，ESD保护电路没有坏，但是内部电路被打坏了。

就是要ESD电路先于内部电路开启，才能起保护作用

受教了,也就是说,只要让PAD上的电路的反映速度大于内部电路的反应速度,
并让,PAD上的ESD电路足够的强健,就可以保证我们ESD电路的强健性,是这样的吗?
问题是,我们用什么标准来判断或着估算我们的ESD电路的反应速度是足够的快呢?

灌水，这个反应速度不准确，ESD触发电压设的足够低即可，很难量化，主要依靠经验

电压的上升是电流在电容上的累积造成，只要电流得到泻放，电压就会下降
泻放能力不够就会造成电流损伤

学习了

有点外行！

楼上的说得有道理,
电压是电流累积的效果,只要电流得到了有效的泻放,则不会造成电压的损伤,
谢谢啊

不过外部是高压器件来做ESD，内部是中压器件直接连在外部引脚
这个用法好象很奇怪，应该向工厂咨询一下，或者时序允许的情况下尽量加大输入ESD保护电阻
总感觉到有点玄

的确有点玄,后面我们讨论,还发现一个问题;
器件输出是用中压器件,保护用高压器件,
那么在芯片级ESD时,没有形成从PAD-DRAIN-电源的通路
但在系统级的时候,就有这样的通路,而且由于要让高压的器件保护，
则必须要让高压器件的触发时间快于中压器件,但这几乎不可能
所以,这里还是存在很大的问题

芯片级ESD 系统级ESD 是什么意思?

Thanks

根据标准,我所理解的
芯片级的ESD:是根据ESD测试标准,测试芯片没有工作,也就是裸片时(没有工作时)防护ESD的能力;
系统级的ESD;是芯片在正常工作时,防护ESD的能力
还请各位前辈们指正

高压的保护中压?
一般很少用吧，看高压的trigger voltage和中压击穿电压。
而且还得考虑版图。头大。

是很痛苦,但没有办法,因为BUS线走不下来;
我做了某款LCD的ESD,source那部分的就是用高压保护中压,
所以,感觉很毛

来源?
我觉得系统级指的是板级ESD?猜测，没见过严格定义
我觉得带电ESD保护国内公司都没太考虑吧，IC应用都要防止带电操作，个别大公司芯片有这样的防护能力

一般不会直接用高压esd结构来保护中低压器件，如果一定要这么做，会采用一个低压esd结构和高压esd结构并联
换句话说有2个trigger voltage，2个trigger voltage的切换完全是看能量的关系
基本上都是非常有经验的人才有把握这么做。

来源?我还真忘了,记忆最深刻的是,我们老大给我们讲解的系统级的ESD,也就是"板级ESD",正如你所说的那样,
但现在客户对系统级的ESD要求会更严

[/quote] 一般不会直接用高压esd结构来保护中低压器件，如果一定要这么做，会采用一个低压esd结构和高压esd结构并联
换句话说有2个trigger voltage，2个trigger voltage的切换完全是看能量的关系
基本上都是非常有经验的 ... [/quote]
谢谢,以后我会注意这个严重的问题

系统级ESD应该是应用工程师考虑吧，我觉得一般的客户不会专门去打ESD

我们只是在自己能做的范围内尽量考虑,如果要涉及板极的ESD,我们的确考虑得很少

ESD的问题，有太多的经验在里面。很郁闷。
高压器件，是说他耐压高，而不是说他的trigger voltage高。很多ESD就用了厚栅的MOS管。
楼上朋友说两级ESD的，确实好很多。用的也不较多。

看来还是要多学习啊，ESD，是个世界难题。

根据rule来啊