请教仿过运放的老手关于调两级运放的问题
用的是IBM .13um的库,电源电压1.5V,沟道长度1um,运放的结构是经典的两级运放,p管差分输入,单端输出,带米勒补偿和调零电阻,负载电容1pF,指标是Gain>70dB,PM>70度,GBW=100MHz,其它指标不做限定
您不贴一个图上来看看,或是你的网表?
btw,ibm,0.13um的tox是多少啊
建议用3.3V的管子试一下,应该就能做到了
回二楼tox=3.12e-9,手算的时候,Kn大概是95u,Kp大概465u,很郁闷添加不了附件
4# shadow_cuk
首先确定你的管子都在饱和区,
1尝试增加T5,6,7的L
2减少电流
回三楼指标要求要用1.5V电压
回五楼我调下试试
回复6楼
1.5V的电压不代表不能用3.3V的管子。
这个工艺我用过,用3.3V能够有效增加ron,我们都是这样做的
回7楼,为啥3.3V的管子ron会提高呢,,IBM的库里面有普通的fet,还有lvtfet,lpfet,zvtfet等等,选择什么样的管子有什么诀窍么
其实主要是3.3V的管子是厚氧化层(52A),1.2V的管子是薄氧化层(22A)
你所提到的lvtfet,lpfet,zvtfet,分别是low vth, low power(high vth), zero vth。
这些管子往往有要单独付费的mask层,你要看你是否允许用了
另外,图中T3,T4的P管的衬底最好接在vdd上。
非常感谢moorehuang的指点,换了3.3V的管子之后果然增益上来了,两个星期多以来的困惑终于解开了,开始还一直以为是自己手算有问题,压根没想到跟管子有关联.这回得好好做个总结.
回头我特地看了下库文件,普通nfet的tox是31.2A,nfet33是59A,这个只能说3.3V的管子vth要高些,还是不太理解这样如何使得nfet33的ron大于nfet
来学习了。
ron是啥呀?
回复楼上,T3,T4还是衬底和源接在一起比较好,大的共模抑制比
小编的这个指标的确是很高吧
另外为什么不采用调零电阻呢
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