请问这两个电路的区别

请问，上面的两个电路，都可以让输出是输入的一个电平移，右面的电路通过控制电流源应该可以使输出电位是输入电位平移1.4V的结果。那使用第一个电路需要更大的面积来实现，它的好处是不是因为VBE在工艺里的偏差比通过MOS来做更小些?
说明一下，实际电路中采用的是第一个电路，后一级是MOS管输入。这个芯片是个BICMOS工艺的。我想问的就是为什么用第一个电路做电平移，而不用第二个。谢谢

左图是BJT实现电平平移，右面是CMOS工艺制作实现的MOSFET电平平移电路；阈值电压的偏差大小与具体的工艺制程相关。

不是很懂，起什么作用

只看这一部分电路去讨论谁好是没意义的，要看后面带的什么电路，如果后面是bjt那么用bjt移电平可以track后面的，同理用mos track mos。关键还是看你需要的输出是什么

同意4楼的说法

Yes, analog designer always say: "it depends！"

impedance is different！

请大家都帮忙分析分析