求助: 各位达人有没有听说过这种工艺
要有耗尽型管子
要有高值电阻 大于2K 最好4K
最好还有高压管不要太大 或者还有中压耐10V的管子
如果是N-sub的就更完美了。双阱的也OK
各位达人知道国内有这样的高压工艺么? 请不吝赐教啊谢谢谢谢
只有跟foundry联系了，看他们愿不愿意跟你合作开发了
2# basildy
这个估计用不起周期也太长。唉
哥们是要做一个高压低功耗的DC-DC芯片吧?呵呵，我也找过这种工艺，但是国内没有。
似乎耗尽管的L还要小一点，国内能做出耗尽管的工艺，似乎只有csmc0.5um cmos,HHNEC 0.35 5v cmos.
国内?算了吧，有你也不敢用。
mxic，正在开发中...
1# yfssb
看看xfab 的 XI10 工艺。有高温高压管，而且是SOI工艺
高压工艺中 耗尽管不好做吧
可能只有找一个FAB合作开发工艺了
tsmc 0.5um 5v40v，双阱工艺，加depletion layer,基本能满足你的要求
为什么有耗尽型和4k要求呢，改电路吧。国内高压bcd不是有很多吗，我感觉还是找一个电路图、版图都齐全的好，毕竟改电路简单，跟工艺厂合作。太难了
而且国内的比国外便宜好几倍吧
入行未深，小见。
小公司最好是选好适合的工艺,其余部分设计配合工艺
国内耐压的还是不少,4k这些要求不是很必须
回6l soi估计用不起xfab .6的倒是有差不多合适的
回6l和8l 想要的是高压nmos也隔离 还有就是要Vgs也耐压高
关键是耐压其他的电路上还能想办法 呵呵 顺便问下 TSMC的工艺申请麻烦么?
回9l 深有同感啊 呵呵 电路设计还是可以想办法 关键是耐压问题 呵呵 bcd看到一些 但合适的还没找到啊 呵呵 电路里要做高于电源电压或者低于vss电压的检查 用耗尽管不是好做么。呵呵 电路里有通过电阻分压检测电压的 大电阻功耗小啊~
回8l 请问TSMC5V/40V工艺怎么联系? 网上有相应资料么?
谢谢
tsmc官网
有提供高压隔离n管的，gs当然是耐高压的啊，ds耐压在P+/hvnwell, n+/psub实现，gs耐压厚栅氧实现，加阈值调整工序的
谢谢ls我去看看先
再问下 怎么下载 TSMC的 process document 啊
我去他的网站上找哦半天也没有啊 难道这个也不开放么?