求教：关于Ids电流公式计算和仿真的问题　

一个nmos
Vgs=1.2v
Vgs-Vthn=0.55v < Vds=0.75v 所以这个nmos管是工作在饱和区的　根据公式　1/2×u×Cox×W/L×(Vgs-Vthn)的平方　如果考虑沟道长度调制效应还要乘以一个系数。　现在W/L=22 　kn= u×Cox=80 根据公式计算这个nmos管子的Ids应该等于220uA　但是通过仿真出来的　结果是930nA

请大家帮忙看下

大家帮忙看下

body有偏压吗?
最好再给详细一点

衬底接地

--- Operating Point ---
V(n002):1.2voltage
V(n001):0.75voltage
Id(M2):0.000221272device_current
Ig(M2):0device_current
Ib(M2):-7.6e-013device_current
Is(M2):-0.000221272device_current
I(V2):-0.000221272device_current
I(V1):0device_current
是220u啊，只不过模型有点不同

负载什么的呢?

请问你衬底接的gnd吗?

恩，一个nmos ，两个电源，衬底、源都接地，就没必要附图了，太卡，重新画的，生成的网表
* D:\LTspiceIV\Draft3.asc
M1 N001 N002 0 0 N_1u l=1u w=22u
V1 N002 0 1.2
V2 N001 0 0.75
.model NMOS NMOS
.model PMOS PMOS
.lib D:\LTspiceIV\lib\cmp\standard.mos
.lib cmosedu_models.txt
.op
.backanno
.end

谢谢楼上　请问
这个管子的s端电压比较高　　１.２V　会不会是体效应的　导致Vth的升高　所以电流变小的?

没听明白，如果s=1.2,g=2.4,d=1.95,b=gnd 的话
--- Operating Point ---
V(d):1.95voltage
V(g):2.4voltage
V(s):1.2voltage
Id(M1):7.1942e-005device_current
Ig(M1):0device_current
Ib(M1):-3.17e-012device_current
Is(M1):-7.1942e-005device_current
I(V3):0device_current
I(V2):-7.1942e-005device_current
I(V1):7.1942e-005device_current

衬底接源
--- Operating Point ---
V(d):1.95voltage
V(g):2.4voltage
V(s):1.2voltage
Id(M1):0.000221272device_current
Ig(M1):0device_current
Ib(M1):-7.6e-013device_current
Is(M1):-0.000221272device_current
I(V3):0device_current
I(V2):-0.000221272device_current
I(V1):0.000221272device_current

Id(M1):7.1942e-005device_current
d(M1):0.000221272device_current
71uA　和 221uA

hanjingyu2009
我用的　是spectre　　你用是什么工具?

ltspice 免费的
spectre也一样，就是设置有点不同。结果一样的吧。
当然我不了解你的具体情况

哈哈哈哈