高手来看看

没办法发图。我想搭一个放大器，仿真用cascode的第一级时（差分输入管是NMOS），我将NMOS管的衬底接上源级，忽略了体效应，仿真的结果和我手算的结果相差不大。
但是NMOS管衬底接GND时，由于我NMOS管比较大，故电容比较大，体效应明显，现在差分输入管无法饱和，调节管子尺寸的时候，效果也不明显，希望达人指点迷津
3Q

公式里没看出来体效应跟电容有关系啊。那个Cox是固定值啊

哦，呵呵
弄错了
和Vsb有关系~那样说只能调管子尺寸了?

我刚将有体效应和没体效应的2个单级Cascode电路进行仿真对比了下（过载电压和偏置电压和电流都保持一致）；
存在体效应的MOS管的W/L需要设置的非常非常大而且W/L小一点的时候，输入管就进入线性区。
我的理解是有体效应变化的应该只是阈值电压变大了一些，但是为什么实现相同的功能的时候，有体效应的W/L尺寸是应该增大，但是我仿出来需要增大的太大了，有体效应和没体效应的差分输入管的尺寸比大概有100倍。
结果是应该这样还是我电路哪有问题?