OSC休调的矛盾

OSC结构为电流源对电容充电,然后经比较器的形式.要求频率精度为10%,可使用休调,请问:
对于corner的影响,是可以休调的;但是对于温度的影响,由于我用的是MOS电容,温度对电容的影响有20%.而在休调的时候,又通常是在室温下进行休调的.这里就存在一个矛盾,请问如何解决?

这个是很典型的结构，电容充放电片上OSC。
表面上输出freq正比于Iref/C
温度变化会影响至少3个东西，1是充电电流会随温度变化，2是电容会变化，3是比较器延时时间也会随工艺coner和温度变化，最终使得输出频率变化。
这种电路想要使得输出频率变化在<10%，就是+-5%,不修正，基本不可能。
有一种办法，先流片，批量测得OSC是正或负温度系数，然后通过修正Iref的温度系数，来补偿，可能可以达到。

Do you think it is possible to use RC OSC
and Rpoly be negitive TC and Rwell is positive TC

It's difficult.
Maybe chaging to PIP and an accurate current source

学习一下，不知道有没有什么好的结构