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Hspice仿真结果请教

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
对于MOS管的仿真结果中有以下电容:
element0:m10:m2
model0:mn0:mp
regionSaturatiSaturati
id248.3722u -248.3722u
ibs-14.6767a9.3700a
ibd-3.1307f9.1162p
vgs1.1000-1.2000
vds1.0662-1.9338
vbs0.0.
vth915.2035m -970.5620m
vdsat185.4761m -277.8543m
vod184.7965m -229.4380m
beta11.8244m6.6942m
gam eff1.0171449.9962m
gm2.0657m1.8208m
gds32.4344u44.2059u
gmb868.0440u421.9151u
cdtot80.6388f121.6075f
cgtot68.8514f115.0264f
cstot161.4500f265.7793f
cbtot191.5930f284.4114f
cgs44.2814f82.5447f
cgd9.8013f19.0950f

请问这五个电容都表示什么意义呢?
恳请达人指点!

re
第三个问题:

*** Output Resistance Related Parameter ***
+pclm = 5.216683pdiblc1 = 0.110359pdiblc2 = 4.669031E-3
+pdiblcb = 0drout = 0.56pscbe1 = 4.309869E8
+pscbe2 = 9.513696E-7pvag = 4.8delta = 0.01
+alpha0 = 1.548E-5alpha1 = 17.2beta0 = 40.9
输出电阻的相关截取如上,怎样从中得出其手算表示呢?
Razavi用的是lambda
Sansen用的是工艺参数VE,不知道怎么去挖掘唉。

工艺库不要管

这个很难不管。依然纠结中

输出阻抗就是gds取倒数

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