射频模型的共源放大电路仿真和计算结果差很多？

大家好，
我现在在做混频器，但是计算结果和仿真结果差很多，尤其是电流
我用的是tsmc0.18工艺
我用一个简单的共源放大电路验证，用基带nch模型时候差距还小些，可是用射频模型nmos_rf模型时候，在vgs=0.55时候，region为饱和区2时候，电路按照饱和区电流计算公式只有15.6uA，可是仿真结果显示mos管电流为5.7mA
请问为什么啊?射频模型有什么需要注意的吗?
希望大家指点迷津啊哈

提供幾點想法給于參考
1.先檢查仿真的電晶體尺寸是否和手算一致?
2.檢查手算的電晶體參數是否和仿真的電晶體參數相同?例如電晶體受到短通道效應的影響，電晶體的直流公式已經不再維持平方關係。

谢谢！
晶体管尺寸应该没问题，主要参数Un Cox也没问题。可能就是由于短沟道的影响。不能单纯的用平方关系。
可是这样的话，在短沟道mos管搭建的电路，在设计初阶段，如何进行参数的大体估算呢?例如如何确定电流，宽长比?
短沟道mos管有没有相对简单精确点（比较单纯的平方关系）的计算公式呢?

二楼说的有道理，Mixer的RF驱动短沟效应是很强的，电流与过驱动电压呈线性，不能用通常的电流公式计算，要考虑速度饱和/沟道调制等

射頻管處於大信號作用下，好像是不能手算的

用一个师兄的话讲，果然是仿真时代?呵呵
但是老感觉不计算，没个杠杠，有点误打误撞的感觉哈