bandgap的layout
1：CMOS工艺中PNP我选了1：8为了匹配，用哪种PNP?一般的?那种垂直的可以吗?那8个要N-well画在一起吗?怎样布线算好?
2：怎么画电阻的ratio才能精确?
哥们，你还是努力学习吧！没有人会手把手教你这么基础的东西。
加油！
我也是刚刚开始画，差分输入PMOS最好common centroid，但是宽长比又太大，现在我把每个管子8等分，请问怎么排版?
是ABBAABBA两排画吗?
BAABBAAB
ABBAABBA BAABBAAb都可以 记得在两边加上dummy
我说的那个排列是格整体，两排，PMOS输入管，太长所以每个分8份。是Common Centroid的正确画法吗?ls说的或者大概理解成Interdigitating画法了。
另外什么东西要加dammy，是都加，还是需要对称的加，还是怎么样考虑的?
看里面的帮助文件吧
可也去看看“纯粹的版图”这个网站
什么都得自己一点一点的学，一点一点的积累呀
谢谢LS帮助，插枝和中心对称画是知道怎么画了，感觉自己布局和走线方面很差
3行3列,很match
abba baab
baab abba
在电路仿真时，选择的是什么样的bjt应该是已经定了吧?不知你是什么工艺，标准工艺里应该有lpnp和vpnp，但设计bandgap中一般用vpnp（有1*1、2*2、5*5等），就是由衬底、nwell和pmos的源或漏形成的bjt，发射级就是pmos的源或漏区域。一般情况下，nwell和sub连在一起至地。
如果比例是8：1，一般画法是用8个围着中间一个，上面有网友已经说过
关于Nwell要不要连起来，个人觉得连起来应该没有大碍（没试过），因为影响性能的是集电极电路，而且所有nwell都在地电位上，平时直接调用pcell，只是用metal把nwell和sub连在一起。
搜一搜论坛上关于bandgap的帖子不少，可以看看
请大家批评指正
3X3, dummy added to form 4x4.
建议还是吧n_well连接起来，在13工艺一下关系还是比较大的
谢谢了
支持楼上的兄弟，但是要注意匹配设计，特别是运放的输入管采用共质心设计，还要加入一些陪元件(dummy).请教大家bandgap layout中的电阻怎么匹配设计?
Just do 3x3！