大家有没有想过这样的问题
时间：10-02
整理：3721RD
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请问：如何仿真mos管的Cgs随Vgs的变化而变化的情况?当工作区域变化时，Cgs变化更明显。
好像在RAZAVI的书上有张图描述了Cgs, Cgd 在三个区域的电容变化
是的，现在就是想利用软件对电容的这种变化情况进行仿真。但不知如何实现?
看HSPICE手册吧
LX2 就是输出CGS参数
恩，好的，找到了，谢谢了啊。不过出现了好几种表示法，如LX18(m) = dQG/dVGB = CGGBOLX19(m) = dQG/dVDB = CGDBOLX20(m) = dQG/dVSB = CGSBOLX21(m) = dQB/dVGB = CBGBOLX22(m) = dQB/dVDB = CBDBOLX23(m) = dQB/dVSB = CBSBOLX32(m) = dQD/dVG = CDGBOLX33(m) = dQD/dVD = CDDBOLX34(m) = dQD/dVS = CDSBO 以及（Meyer models?）LX18(m) = CGS+CGD+CGBLX19(m) = LX32(m) = -CGDLX20(m) = -CGSLX21(m) = -CGB LX22(m) = -CDBLX23(m) = -CSBLX33(m) = CGD+CDB+CDSLX34(m) = -CDS 不知怎么回事，如何选择?