寻LED 驱动芯片设计用工艺

Hi,

前我们欲开发一款大功率LED驱动用的DC-DC转换器，其输入电压最大可达18V，驱动最大功率可达700mA
我们希望，该工艺除能满足以下要求：
1.满足最大18V高压；
2.输出驱动在高达700mA时，输出功率管能保持很小的Ron,以提高效率和降低功耗（发热）；
3.从成本和其它考虑，我们希望工艺最好是0.5um或0.6um 18V CMOS 工艺；
4.该工艺能提供完整的PDK支持，
能否推荐适合此类设计的国内工艺?

多谢

不知LZ现在用了什么工艺?
0.5um能耐18V吗?

目前CSMC(华润上华)的 5V/18V和20VBCD都能满足你的要求.

CSMC 的BCD可好?

国内的上华之类可以

上华的0.5um40V工艺