求教关于Mixer的问题

小弟最近在学mixer，书、文章上都说LO输入振幅要大，这样才能让Switch管工作起来更像理想开关，那么这个振幅要大到什么程度呢?高频下头驱动LO也挺困难啊，求高人指点，比如1.8V cmos工艺的双平衡混频器，LO振幅要有多大就可以认为足够了呢?

单端信号Vpp=1V就可以了。

LO幅度太大会造成很大的本振泄漏
因此我觉得根据你对本振泄漏的要求来定LO幅度
在满足本振泄漏的情况下LO越大越好
我以前做的是Vpp ＝ 800mV

这好像也太大了吧，对于.18工艺，LO 差分输入有400-600mv也就够了，否则LO泄漏会比较严重，尤其对零差结构；
另外改进开关对的特性也不能都依赖加大LO的输入幅度，如可以适当加大开关管的宽长比等

楼上说得泄漏是从LO到RF端的泄漏吗?
To 小编
可以对不同的开关尺寸进行LO幅度的扫描，得出LO幅度和NF的曲线，可以看出LO幅度对于mixer性能的影响
一般来讲恰当的LO幅度就是这么一个幅度：再增加LO幅度，mixer gain的增加很小，一般来讲LO幅度是开关管vdsat 2.5倍以上就够了

是的，我说的就是LO 到 RF的泄漏；
我记得以前上高频电路课，老师说过MIXER 的线性通道指RF驱动级，非线性通道指LO开关对，设计者应使
它们的特性更加明显，不过很多措施的运用要进行折中，就像提高LO的幅度...

LO和RF的泄漏不是通过减小LO幅度来实现的，LO幅度还是首先以能够优化NF和linearity为标准，而且差分的话，单凭仿真是无法仿出实际的LO到RF馈通，片上有很多通路。

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楼上的大虾认为具体采取怎样的措施才能减小这种泄漏呢，这对零中频结构很重要呀

我只知道肯定不是通过减小LO幅度了，如果LNA端测到的LO泄漏要降低很低，就不是减小几个dB的LO幅度能解决了。应该是提高片上隔离了，但这个仁者见仁智者见智了，要通过测试来验证了。

可以尝试用CASCODE结构的RF驱动级来加强LO与RF端口的隔离

可是如果低电压下裕度似乎不能保证啊，比如1.5Vdd，130nm以下的情况

小弟目前也在作mixer~但是我都只看LO信號的強度~看來我觀念還是不夠好！
話說回來~要怎樣才知道怎樣的振幅才適合呢?

这样结构就复杂了，RF信号可采用共栅结构的驱动级，其对RF与LO之间的馈通抑制比共源好些

我用VPP=0.8V

VPP是指峰值-峰值电压吗