bandgap提高精度

M＝8试一试?

不好意思那个图是随便找的M就等于8

顶起来

这种结构应该可以做到很高的精度啊

没有二级补偿这已经是最优化和最高的了。不过一些参数有问题，电阻如何做的比例更好
目前的电阻值好像很难

电流和精度有关系吗做过的指点一下

个人感觉，增大电阻应该会很有效，差不多现在的10倍差不多，
现在的BGR消耗电流也大了点
我曾经设计过一个,流过PNP的电流取成1uA

不好意思，你的电流已经是1uA了
这种结构的温度特性是可以做的很好的，仿真几乎可以达到电压随温度变化只有1mV
pnp1：8合适，看TC曲线对称，说明电阻比率也应该合理，那就只能看运放

普通的N输入的两级运放失调电压怎么减小?有这方面的资料吗?

在该结构中，辅助运放的正负端连接方式可以交换吗?

这种结构运放不要用NMOS输入，输入动态范围不对
正负端不能反接，否则会变正反馈，运放输出到地

为什么N输入动态范围不对?
具体讲讲 我就是用N输入也见过N输入的

就是NMOS阈值电压加尾电流VDS之和比较高，而三极管的VBE只0.7V左右，不足以使N管导通

N输入也同样可以做到
放大器现在不是问题
除了放大器之外如何提高精度?

用 p 吧
別頂嘴了...

在臨界導通下 你肯定 op 還有 gain 嗎?
我看過 n 的
但 bjt 的 b 端 不會接地~

可以使用开关的方法让运放在一定的周期内+端与-端翻转，实现offset补偿的功能

N,P不是问题吧。现在的工艺和技术

Layout 可以做的match性能好点儿

学习中,大家努力

就目前的仿真图来看应该不是最好的，有10mV的偏差，个人觉得可能是本身pn结的负温度系数较大，不是书上说的－1.5mv/k，当负温度系数大后补偿的正温度系数也大，这样虽然得到在室温下的零温度系数，但整个温度范围的偏差还是大，可以扫扫pn结的负温度系数。还可以使用发射极面积较小的晶体管试试

提高电阻匹配度，降低opa的offset，（可以使用chopper技术），可以的话trimming一下。

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