一个简单的工艺问题

很多工艺提供的MOS管都有电压限制，比如SMIC的3.3V NMOS、5.0V PMOS等，请问前面的电压是指什么电压。我问过foundry的CE，说是栅源电压，但有些工艺提供高达40V的管子，难道也是栅源电压吗?

应该是的

理论上应该是，但实际各个工艺各有各的定义

谢谢解答！

40V的高压管肯定是有一个特殊的注入层的

是电源电压-vdd
是电源电压-vdd

应该是电源电压吧，不过一般前一级的输出高为vdd，到下一级的输入自然就是输入电压的了。

我们当它是电源电压.因为数字电路的电压正好是这些值.
再一个是看VT,VT乘以4-5就是数字电路的工作电压了.

40V应该指的是与低压兼容的高压工艺，如用来做输出级的LDMOS器件等，我想是这样的，欢迎批评指正

同意上面，高压MOS管要经过特殊工艺有漂移区，保护环什么的，属于功率器件

应该是指电源电压吧，一看感觉就是跟线宽相关的节点电源电压，再小一点就是1.8V，1.5V，0.9V的NMOS,PMOS

我的理解是源漏电压

同意楼上的说法，通常的说得3.3v,5V CMOS Trasisitor，其3.3v,5v指的是它的Vgs，由于其掺杂特性，它的Nwell/Pwell与其源漏区形成的PN结的反向击穿电压也是3.3V，所以也可以说Vds=3.3v.
而BCD工艺中，比如40V的NDMOS，其Vgs=3.3V,但是由于DMOS的制造方法不同，掺杂也不相同，其Vds可以达到40V. 即高压器件，但是其Vgs=3.3V，如果要改变Vgs，还需要改变栅氧化层厚度Tox才行。通常3.3V，Tox=70A。