NV与FLASH地址和操作上的问题

各位大神，问一个问题哈，在程序中向应用区NV某个item写入一个字节后重启，重启后bootload如何根据flash的page和offset读取到那个数据呢，这里涉及的问题主要是NV的item地址和flash page,offset的关系，还有NV本身的操作(一个NV item的具体flash地址是映射后得到的吗?)。。 多谢指导哦！

某个NV Item的操作并不是固定在Flash中某个地址上的，也就是说如果最一个NV Item做两次写操作，这两次写的数据在Flash中是不同的位置。

NV操作的机制，是通过追加的方式来实现的，每次需要写数据的时候写到之前写过的最后面，然后把原先那个标志为废弃，等到废弃的Flash等于一个page的时候，再一次性擦除。

这样做的目的为了保护Flash。

好的，感谢VV大神神一样的回答哈。 补充问一下:  OTA中操作外部flash的时候， Write to the external NV storage via SPI：static void HalSPIWrite(uint32 addr, uint8 *pBuf, uint16 len)，这个操作外部flash的函数参数 addr 是直接对应物理地址从0x0000开始的吗 ？