关于OSAL_NV对FLASH擦写的问题

我们想优化程序，程序中既要对NV_RAM进行频繁的读写操作，现在有个问题。

我知道FLASH硬件上，是“1”可以写“0”，但是“0”写“1”必须擦除。在osal_nv_write中，如果要改变NV_RAM中的内容，NV_RAM程序会把修改后的内容放在一段新的FLASH空间，原先的FLASH段废弃。

但是对于FLASH来说，如果是从1写0，就没有必要去擦除。也就是说osal_nv_write在写入数据前，旧数据与新数据做“与”运算，如果运算结果等于新数据，则没有必要再去开辟新的存储空间。

请问osal_nv_write是否有这样的判断机制？

应该没有，只有判断需要写的和原先在是否一模一样，如果不一样的话就重新写了