关于cc2530 HalFlashWrite 的地址范围问题

TI工程师您好，

我现在想用HalFlashWrite写入指定地址，最好是在NV里，不知道那些位置是可用的呢？芯片是CC2530 F256

还有 HalFlashWrite 的几个参数都不是很明白

addr- actual addr / 4 and quad-aligned. 这个参数和HalFlashErase的page的关系是什么样的？

下面的两个参数，如果我只是要写一个 1 进去，那buf是否设置为4字节长度的数值？比如一个long int?还是一个4字节的数组？

buf - Valid buffer space at least as big as 'cnt' X 4.
cnt - Number of 4-byte blocks to write.

谢谢！

你好，

关于NV里面哪些用户可以用，哪些协议栈已经用掉，请参考

C:\Texas Instruments\Z-Stack Home 1.2.0\Documents\API\OSAL API.pdf 第10节

HalFlashWrite函数中，除以4，是因为CC2530 Flash写操作必须是一次4个字节的，所以要除以4.  擦写的话，必须是一个page整体擦掉。

因为一次写4个字节，所以最小单位要实际的数除以4

谢谢VV，

但OSAL API 里面给的值是给 NV item ID的，之前我有问过你这个ID是否可以决定写入的实际地址，你说不行。那为什么在这里又可以了呢？

按照你的说法，0x0401-0x0FFF是可用的, 我试着按照你说的写了对0x0401的读写操作，不知是否正确：

{

uint8 buff[4] = {0x00, 0x00, 0x00, 0x01}

HalFlashErase(？);  // page该如何计算？

while( FCTL & 0x80 ); // wait for erase to complete

HalFlashWrite(0x0101, buff, 1);   // 0x401/4 向上取整等于0x101
HalFlashRead(？, 0x0000, buff, 1);

}

 请尽快回复，十分感谢！

请尽快回复，谢谢！

你好，

在使用osal_nv_write根据NV ID里面会根据ID去计算该item位于flash的实际位置，然后再调用HalFlashRead函数。