如何实现2640的内部flash读写

如何实现2640的内部flash读写呢？有参考事例吗？

xianglin,

2640的SDK里面用了SNV 供用户去操作Flash的读写。

具体可以参考随SDK来的development guide.

非常感谢Y，周末还能回复我。

你说的那个我知道，现在直接使用SNV读写函数可以实现，但是假如我想读写的数据量比较大（比如10KB）如何实现呢？一个page 4K，是不是直接在函数osal_snv_write( osalSnvId_t id, osalSnvLen_t len, void *pBuf) 的len这个参数上加大到10K左右呢？手册上说代码中默认用户可以的flash存储空间就是0x80-0x8F，这个空间大小可以直接从0x8F向后扩大10K么？还是需要单独在flash中开辟自定义的存储空间？

// Customer NV Items - Range 0x80 - 0x8F - This must match the number of Bonding entries
#define BLE_NVID_CUST_START 0x80 //!< Start of the Customer's NV IDs
#define BLE_NVID_CUST_END 0x8F //!< End of the Customer's NV IDs

xianglin,

这样的话就比较麻烦了。

首先要保证flash里面有足够的空间能给你用(要刨去代码占用的空间和SNV占用的空间)。

然后你可以借鉴一下FlashProgram()这个API的调用。可以参考一下simpleBLEPeripheral工程里面的OAD imageB中的使用方法。

API的说明在这里：file:///C:/TI/tirtos_simplelink_2_13_00_06/products/cc26xxware_2_21_01_15600/doc/driverlib/group__flash__api.html#ga0d891d79df6dbba0288b15a8c30c1331

你安装过SDK的话，就会有这个相应的TI-RTOS的API 说明文档。

有这个API是很方便了，但是内部flash大小总共128KB，使用FlashProgram()的时候如何确定flash内部哪部分地址空间属于unprotected main bank flash sectors呢？正常的从机代码跑RTOS以后可以剩余大概10多KB的flash空间呢，这部分剩余的flash空间地址如何确定呢？谢谢

我以前也问过这个问题，其实最容易想到flash读写函数的，又必须用到的，那肯定是OAD了。悄悄告诉你，OADTarge_Internal_flash中的读写函数好用的不行。

首先谢谢您的回答。OADTarge_Internal_flash这个函数内部封装的也是Flash_progrom()函数，我主要不知道哪部分flash内存空间可以给用户自定义使用的。我现在打算使用10KB的flash内存，那部分可以使用呢？SNV给的是0x80 --- 0x8F，太小了，类似下图。方便指点一下么，再次感谢您！

在吗？使用是如何确定地址空间范围呢？谢谢

你的flash读写解决了没有？是用SNV方式，还是OADTarge_Internal_flash里面的函数呢？我在用OADTarge_Internal_flash的读写函数时候，读是正常的。但是写数据的时候，对固定地址空间只能写一次，写过之后不能改写，只能将该扇区擦除之后才能写新的数据。你是否有遇到此问题呢？

flash难道不是每次写之前都要擦除的吗？