2402D

目前通讯领域4G产品越来越多，密集的频段对射频的要求越来越高，FBAR工艺的出现为射频领域度过了寒冷的冬天，RSFP2402D 是4上运用，采用FBAR工艺 ；插入损耗低于2.5dB；抑制LTE Band38和LTE Band41和LTE Band;封装是CSP ；规格是1.4mm*1.1mm*0.75mm；
   MTK、联芯等各平台都已认证。
   pin对pin兼容Avago7140/7141，B9604，885033