硬件笔试题

模拟电路
1、基尔霍夫定理的内容是什么?（仕兰微电子）
答：基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷相等.基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零.
2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。（未知）
3、最基本的如三极管曲线特性。（未知）
4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子）
5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；答：负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）
6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法?（仕兰微电子）
7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。（未知）
8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。（凹凸）
9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。（未知）
10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y 和Y-,求共模分量和差模分量。（未知）
11、画差放的两个输入管。（凹凸）
12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。（仕兰微电子）
13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。（未知）
14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。(Infineon笔试试题)
15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。当RC<q,还有 clock的delay,写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号 如何改善timing。（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。（未知）
21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。（未知）
22、卡诺图写出逻辑表达使。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛）
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operationregion of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel of PMOS and NMOS and explain?
26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?（仕兰微电子）
27、用mos管搭出一个二输入与非门。（扬智电子笔试）
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster res0824ponse for output rising edge.(less delaytime)。（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
29、画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试）
30、画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。（飞利浦－大唐笔试）
32、画出Y=A*B C的cmos电路图。（科广试题）
33、用逻辑们和cmos电路实现ab cd。（飞利浦－大唐笔试）
34、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B C(D E)。（仕兰微电子）
35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz yz’。（未知）
36、给一个表达式f=xxxx xxxx xxxxx xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化简）。
37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）
38、为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么?1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）
39、用与非门等设计全加法器。（华为）
40、给出两个门电路让你分析异同。（华为）
41、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为…（仕兰微电子）
42、A,B,C,D,E进行投票，多数服从少数，输出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0 多，那么F输出为1，否则F为0），用与非门实现，输入数目没有限制。（未知）
43、用波形表示D触发器的功能。（扬智电子笔试）
44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。（扬智电子笔试）
45、用逻辑们画出D触发器。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
46、画出DFF的结构图,用verilog实现之。（威盛）
47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。（未知）
48、D触发器和D锁存器的区别。（新太硬件面试）
49、简述latch和filp-flop的异同。（未知）
50、LATCH和DFF的概念和区别。（未知）
51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的。（南山之桥）
52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图。（华为）
53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路?（汉王笔试）
54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?（东信笔试）
55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel) 16分频?
56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器，输入carryin和current-stage，输出carryout和next-stage. （未知）
57、用D触发器做个4进制的计数。（华为）
58、实现N位Johnson Counter,N=5。（南山之桥）
59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢?（仕兰微电子）
60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL，如设计计数器。（未知）
61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。（南山之桥）
62、写异步D触发器的verilog module。（扬智电子笔试）
module dff8(clk , res0824et, d, q);
input clk;
input res0824et;
input [7:0] d;
output [7:0] q;
reg [7:0] q;
always @ (posedge clk or posedge res0824et)
if(res0824et)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述? （汉王笔试）
module divide2( clk , clk_o, res0824et);
input clk , res0824et;
output clk_o;
wire in;
reg out ;
always @ ( posedge clk or posedge res0824et)
if ( res0824et)
out <= 0;
else
out <= in;
assign in = ~out;
assign clk_o = out;
endmodule
64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：a) 你所知道的可编程逻辑器件有哪些? b) 试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。（汉王笔试）
PAL，PLD，CPLD，FPGA。
module dff8(clk , res0824et, d, q);
input clk;
input res0824et;
input d;
output q;
reg q;
always @ (posedge clk or posedge res0824et)
if(res0824et)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。（仕兰微电子）
66、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现10进制计数器。（未知）
67、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现消除一个glitch。（未知）
68、一个状态机的题目用verilog实现（不过这个状态机画的实在比较差，很容易误解的）。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
69、描述一个交通信号灯的设计。（仕兰微电子）
70、画状态机，接受1，2，5分钱的卖报机，每份报纸5分钱。（扬智电子笔试）
71、设计一个自动售货机系统，卖soda水的，只能投进三种硬币，要正确的找回钱数。（1）画出fsm（有限状态机）；（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求。（未知）
72、设计一个自动饮料售卖机，饮料10分钱，硬币有5分和10分两种，并考虑找零：（1）画出fsm（有限状态机）；（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求；（3）设计工程中可使用的工具及设计大致过程。（未知）
73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。（威盛）
74、用FSM实现101101的序列检测模块。（南山之桥） a为输入端，b为输出端，如果a连续输入为1101则b输出为1，否则为0。例如a： 0001100110110100100110 b： 0000000000100100000000
请画出state machine；请用RTL描述其state machine。（未知）
75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串（分状态用状态机写）。（飞利浦－大唐笔试）
76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器(包括空，满，半满信号)。（飞利浦－大唐笔试）
77、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx，其中，x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。（仕兰微电子）
78、sram，falsh memory，及dram的区别?（新太硬件面试）
79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 －14b)，问你有什么办法提高refres0824h time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out which nodes can store data and which node is word line control? （威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
81、名词:sram,ssram,sdram 名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR IRQ: Interrupt ReQuest BIOS: Basic Input Output System USB: Universal Serial Bus VHDL: VHIC Hardware Description

Language SDR: Single Data Rate
压控振荡器的英文缩写(VCO)。动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。
名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器)，FIR IIR DFT(离散傅立叶变换)或者是中文的，比如：a.量化误差 b.直方图 c.白平衡

什么意思?看不明白，

这些适合对毕业生问答

学习

学习下。

谢了

其实还想求个华为的硬件笔试

略显高端呀，真心是看不懂，一个也不会