LM3409HV芯片为什么很容易发热

我使用我使用LM3409HV芯片很容易发热，工作不一会就会非常烫，使芯片不能正常工作，甚至经常将IC烧糊，有没有遇到同样问题的朋友，如何才能解决这个问题呀，

能否上传下原理图？具体是什么应用？请提供输入电压，输出电压，电流等信息，最好有一些测试的波形。

输入电压62V，电流接近600mA，输出30V,1A，利用LM3409作为恒流源给24节镍氢电池充电，下面为原理图，6脚波形为100kHz左右的矩形波。波形很规整，

上下沿都很直，G4的2脚，也就是输出波形也很规整，

如果您用的是贴片封装，可否确认下芯片下的散热PAD有无焊好，另外在PCB上是否留有足够的散热面积。

顺便提一下，您图中的电池极性反了。

Hi 

    如果你采用的是eMSOP-10 Package封装，并且不用case散热(即热阻是50 °C/W),  芯片powerpad充分与PCB GND焊接，并扩展此GND 面积至少2平方英寸，芯片的温度大约是75℃，如果采用的是DIP-14 Package(热阻是87°C/W)，因为没有散热的powerpad, 芯片的温度将大约是100℃。建议你采用Junction to Case的方式散热。

Hi: 

  按照你的参数，扣掉D17, 效率也只有82%，请问能否告知你的MOS名称(电路图中名称的查不到)，如果你采用eMSOP-10 封装，layout没有问题，DIP-14 封装，温度比上述高的还要高，就需要确认一下你的MOS, 因为芯片的主要功耗消耗在驱动MOS上，另外,适当的降低频率也可以达到降低温度的效果(稍微增加Roff阻值，电感就要稍微选大一点的，例如330uH,390uH)

您好，我的MOS名称确实写错了，应该是IRF9540N，封装用的是eMSOP-10的，因为听人说DIP14的不好买，其实我更希望用DIP14的。频率我感觉已经很低了，现在只有100KHz左右。我也发现了，效率是不怎么高，如何才能提高一点呀，Junction to Case的方式散热如何实现呀，这方面没有接触，谢谢您了

Hi

   您的MOS Rdson 117mohm太高了，会严重的影响效率，或许您可以选择SUM110P08-11L或者类似规格的MOS, 他们的Rdson大约12mhom(MOS功耗减小接近10倍).

Hi

   注意一下，电感也要选择ESR较小的电感，这个也很影响效率，D17的Vf也要尽量选小一点的。

多问一句，可以确定您手头的是HV版本的吗？

因为从电路看并没有太大问题，100kHz下驱动100nC的Qg也不至于造成过大温升。

可以的话可否测一下VIN和VCC之间的电压？

谢谢您的指教,我手头的肯定是HV版本,是我申请的样片,VIN和VCC间的电压我上班了之后再测一下,以前测的没有注意记,好像是2V多点.等周一给你说准确数字

您用过这个IC吗,他可靠不可靠呀,我用着怎么这么容易坏呢,我一共10个样板,从开始到现在基本上每个板上它都坏过,有些板甚至坏了两三回,幸亏当时买的多.我不知道是我布线或者外围器件选择有问题还是IC本身就容易坏.

正常应该是6V

Hi

   见Vcc电压描述：the steady state VCC pin voltage is typically 6.2V  below the voltage at the VIN pin. The VCC pin should be bypassed to the VIN pin with at least 1μF of ceramic  capacitance connected as close as possible to the IC.

   VCC的与Vin之间的电压压差典型的是6.2V,  这个电压并非针对GND, 请注意。

我测了两个，VCC与VIN间电压一个是6.059，一个是6.086，应该没有问题吧，

Hi

   是的  6V是正常的。

    如果芯片在75℃是正常的，太高就不正常，TI没有出junction to case的具体设计方案，这个您可能要在网上找。

    之前提到的MOS, 请注意。

您好！ 我也选用过SUM110P08-11L这样的MOS，但一接上电源就频闪，是不是因为它的Qg太高，还是因为的开关延迟时间太长？

我用的比较好的是IRF9Z34，但同样发热量比较高！