MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配设计

当今多种MOSFET 技术和硅片制程并存，而且技术进
步日新月异。要根据MOSFET 的电压/ 电流或管芯尺
寸，对如何将MOSFET 驱动器与MOSFET 进行匹配进
行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。
与任何设计决策一样，在为您设计中的MOSFET 选择
合适的MOSFET 驱动器时，需要考虑几个变量。需要
考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态
电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影
响着封装的决定和驱动器的选择。
本应用笔记将详细讨论与MOSFET 栅极电荷和工作频
率相关的MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据
MOSFET 所需的导通和截止时间将MOSFET 驱动器的
电流驱动能力与MOSFET 栅极电荷相匹配。
Microchip 提供许多不同种类的MOSFET 驱动器，它们
采用不同的封装，因此可以使设计者为应用中的MOSFET
选择最合适的MOSFET 驱动器。

MOSFET的损耗计算

1、开关损耗    Psw=ENERGY*freq=1/8f（IdonVlink*Ton=Idoff2Vlink*Toff）对本例

Psw=0。125*100K（1。3*280*147N=1。95*560*97N）=0。67+1。06=1。73W

2、导通损耗    Pcond=（Idrms）²*Rdson 

式中（Idrms）²=D（Imin²+IminImax+Imax²）/3 ，D=Ton/T  在满载时，Imin=1。25A，Imax=1。95A，D=0。346。代入（Idrms）²=D（Imin²+IminImax+Imax²）/3=0。95A，Rdson=2。7Ω/25℃，Rdson/100℃=2。7Ω*1。75=4。725Ω。Pcond=（Idrms）²*Rdson=4。26W

有文字，有数字，有公式，说得好。