DRV8711外部MOSEFT的电容问题

您好：

上图是DRV8711数据表里写的，下图是我选型的外部MOS管电容特性。请问下：

1.三个公式里中用到的Q到底是哪个，还是需要我去测？测哪两脚之间？

2.Peak output current gate driv(source)和Peak output current gate drive (sink)中的sink是什么意思？

3.IDRIVEP = 50 mA, IDRIVEN = 100 mA（Ｎ固定为Ｐ的两倍？）

４.必须要配置IDRIVEP满足要求吗？我当时选型的时候没注意看ＭＯＳ管上升时间ＲＴ，现在看发现ＲＴ为　５２ｎｓ，Ｑ为几十ｎＣ，岂不是说IDRIVEP = １Ａ左右？然而寄存器给的最大只有２００ｍＡ。有很大影响吗？自己测了下电机还是动起了了，以后会有什么隐患？

新手一枚，第一次来德仪论坛。为什么这几天发了几个帖子都没人回复，是问的方式不对吗？

官方工作人员也没回复过，请问各位有用过ＤＲＶ８７１１的吗，望私聊。存在一些问题，在德仪解决不了其他地方估计更查不到了，希望能在这得到帮助。谢谢。

1. Total Gate Charge (Qg)

2. 由gate driver流向MOSFET以打开MOSFET的称为source current（灌电流）。反向以关断MOSFET的称为sink current（拉电流）。

3. 对于DRV8711，是的。

4. 打开和关断时间(slew rate)需要你来设定。太快，容易产生振铃而导致EMI问题。太慢会增加switching loss。以往都是通过门极电阻回路来进行设置，TI的smart gate driver技术将这一设定用Idrive / Tdrive的方式实现。

1.您好，我之前问的是IDRIVEP/N：必须要配置IDRIVEP/N满足要求吗？

（IDRIVE > Q / RT）

我当时选型的时候没注意看ＭＯＳ管上升时间ＲＴ，现在计算时发现ＲＴ为５２ｎｓ，Ｑ如果按您所说的都取Qg值的话为42ｎＣ，岂不是说IDRIVEP =要取１Ａ？然而寄存器给的50mA-200mA（与我MOS选型相差太大）。影响及隐患是什么？驱动电流的大小会不会比预定值低？这个问题困扰很久了。

2.您所回复‘打开和关断时间’的应该是TDRIVE吧，TI数据表给的范围为250-2000ns。

（TDRIVE > 2 x RT）我应用的RT为52ns，那么选TDRIVE=250ns会导致EMI问题吗？

3.上述两个公式是必须要满足的吗（特别是IDRIVE > Q / RT）？如果我选用的mos管（Qg为42nC，RT为52ns）不可用的话，能推荐几个适合DRV8711的MOS管，最好是SOT-23封装的（TO232也可以）谢谢。

另外，请问寄存器的值是只有在电机使能时才能读取和写入吗？低功耗睡眠模式可以吗？

In sleep mode: The digital circuitry in the device still operates, so the device registers can still be accessed via the serial interface.

规格书25页。

Idrive Tdrive 请自行详读：

http://www.ti.com/lit/an/slva714a/slva714a.pdf

您好，看英文文档不细看时经常会误会错意思，我现在没时间去细看，只想快速弄清楚：１.IDRIVE的大致概念，IDRIVE > Q / RT是必须满足的吗？１Ａ的寄存器设置不了，用２００ｍＡ的影响隐患是什么？　　跟衰减模式有关吗？　　２.如果不可行的话，能推荐几个适合DRV8711的MOS管（ＳＯＴ２３）吗？

最近有点忙，以后有空会详读贵公司相关文档的。

这次麻烦您抽两三分钟回答下，谢谢。