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DRV8432烧坏原因

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

最近做了一块DRV8432电机驱动模块,48V供电,驱动小功率电机正常,驱动大功率电机时(空载,电机内阻0.5欧姆)当模块通电然后连接电机后模块正常工作,当先连接电机,然后上电瞬间驱动烧毁,想问下烧坏的原因,哪些措施可以避免?

是不是芯片过热导致,DRV8432的散热部分在芯片的顶部,有没有加上散热片?

就启动的瞬间就烧了,发热也不会那么快吧。

请查看一下power on的瞬时有没有过冲现象

您好,烧掉通常是设置不当造成的。

请问是使用CBC还是OCL模式,电流保护设置点是多少?

VM电容大小?是否安装离芯片够近

如果能给出部分电路图就更好查找问了。

谢谢!

工作模式M1  0       M2  1        M3  0   1 PFB Parallel full bridge with cycle-by-cycle current limit,

AB桥并联 CD桥并联  CD输入信号接地  AB信号分别控制两个并联桥

采样电阻47K,即保护电流5.8A

VM电容 0.1uf/100v 靠近芯片安装的

电路参考手册上面的没什么改动

给PWM信号且芯片上电工作,然后接入电机正常使用,电机可以正反转,加减速

然后换成给PWM信号,事先连接好电机,再上电芯片就在上电瞬间烧了

芯片供电电路中有个MOS管开关电路,用于切断电源的。默认是将MOS管导通,相当于接了跟导线,(导通电阻8毫欧)问题应该不在这

电机功率为多大?有没有尝试50V供电情况?

电机功率不太清楚,测试的时候是空载,电机内阻0.5欧姆左右,电机用48V开关电源带过,可以正常运行。空载功率应该不超过100W,启动电流很大应该。

VM电容一共是多少,如果只有.1u 是一定不行的,这样会造成大电流变化时,VM引脚电源大幅波动,在启动和短路情况下甚至会低过芯片正常供电电压,从而失控。

DRV8432看电流大小来,需要至少470u到2200u的电源电容,并且和0.1u,及1u等并联同时靠近芯片安放。

 

VM电容是电源滤波电容么? 我理解错了以为是BST引脚电荷泵电容了,电源滤波电容是470+330+0.1*2.  470UF是紧靠芯片安放的。

不知能否有人看到,想问下您说的烧坏是怎么判断的,我的H桥fault一直是low电平,otw信号是高,GVDD、PVDD供电都正常,测了下就没有电流啊,不能是过流吧。

 

请按照上图的方式重新配置输入信号,即避免0%或100%的输入,即使是在slow decay工作方式或者双低输入制动方式下,也需要在两个PWM端都加入小的脉冲,CBC模式才可以持续。否则可能出现一种假死状态。

PWM脉冲在200ns,DRV8432也是会有200ns左右的输出,有什么办法即维持CBC模式又没有输出。

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