DRV8305-Q1参数设置疑问

设计的控制器有用到贵公司的预驱芯片DRV8305-Q1，在使用过程中有报VDS故障，即发生过压过流保护。在配置DRV8305芯片参数过程中，有几个问题:

1.VDS  blanking time 这个参数的含义以及它的作用

根据我的理解，这个参数就是设置在这段时间内不会触发VDS比较器监视，应用中我们设为1.75us。对于这个理解不知道对不对，而且设置这个值有什么作用我并不是很清楚，若能举个例子就更好了。

2.VDS deglitch time 这个参数的含义以及它的作用

这个参数我看了数据手册，对它的含义和作用还是不懂，在应用中我们设为3.5us。

3.VDS  blanking time 和 VDS deglitch time两者之间有什么关系？若有，应满足什么关系？

在我看来，这两者是没有关系的，应该不存在谁大谁小的问题，不知道理解的对不对。

4.VDS_LEVEL 这个参数的设置

根据我的理解，这个参数就是设置过压过流保护的阈值，当VDS电压超过这个值，就会报VDS故障。在DRV8305芯片数据手册中，计算公式为：Overcurrent Trip = VDS Level (VDS_LVL) / MOSFET RDS(on) (RDS(on))，在应用中，我们的VDS_LVL设为0.73V，RDS(on)为2mΩ，计算的过流保护值Overcurrent Trip = 365A（这里我们的最大相电流为150A，取峰峰值为300A），VDS_MODE选择VDS event latch shutdown mode。按理说，这样的设置完全符合设计要求，为什么还是会报VDS故障？这是由于我们的VDS  blanking time 或VDS deglitch time设置不对，还是VDS_LEVEL这个参数设置不正确？

谢谢！

.VDS  blanking time(tBLANK)和VDS deglitch time(tGLITCH)的关系可以参考Figure13的时序.

VDS_LEVEL您理解的是正确的，是VDS过压过流的阈值。那您这里的VDS报错指的high side MOSFET 还是Low side  MOSFET?二者测量引脚是不同的。

TBLANK要设置长于每次MOS打开那一个尖峰时间，保证OCP不会被误触发。

这个时间可以通过实际测试VDS波形来看的。

TDEGLITCH就是所谓灵敏度，就是检测到VDS超过限制值后多少时间报错。

一般DRV8系列内部MOS检测多为3.5uS，外部MOS常见设在10uS以内。

灵敏度设置过高，容易因为noise等问题被误触发，设置太低，

比如大于10uS，对于MOS就没什么保护作用了。

VDS的设置难点在于RDS(ON)跟随VGS和温度是变化的。

需要根据MOS的spec和保护时候的工作温度来确定。