DRV8301 PVDD的问题

DRV8301的datasheet中给出的参考电路中将DRV8301的PVDD1 PVDD2与MOSFET的源级接在了一起为PVDD网络。由于PVDD引脚最高电压不可以超过60V而我的实际情况是MOSFET工作电压为110V。显然DRV8301无法承受这么高的电压，如果将PVDD1和PVDD2接12V电压，MOSFET的漏极接110V电压，三者共地，DRV8301是否可以正常工作。

你好！

我认为这样的方式DRV8301无法正常工作。当H桥的某个上管导通时，110V 的母线电压就会加在DRV8301 的 SH_X 管脚。显然这个电压是DRV8301所不能承受的。

DRV8301主要适用于60V及以下的电机驱动的应用。

Best regards,

Axel

您好！看到您的回复，寻求您的帮助，我现在也遇到同样的问题，如果继续使用DRV8301做来驱动高电压的电机，那如何改进这个电路呢？在SH_X引脚和桥之间做分压电路是否可行呢？

抱歉！来晚了。

您所说的这个这个方法并不可行，可能会引起MOSFET动作不正常。

DRV8301不建议用于比其Datasheet所标称电压高的应用。

Best regards

Axel

谢谢您的指导，在多数控制器的设计上，功率管的母线应该是和驱动芯片的ACC 是分开提供的，如果采用同一母线，那是否有合适的高压驱动的芯片呢，比如300V以上，现在常用的控制器用的都是IPM模块，驱动和功率管都是封装在一起的，所以就不用考虑驱动芯片电压的问题了。但像DRV8301这种控制板不知道是否有大功率的？

电机驱动电流的大小由DRV8301外部的MOSFET决定。母线电压，DRV8301最多支持到60V。因此，不适合高压大功率的应用。

你好，这颗芯片不能用于高压场合，如果需要高压，可以考虑使用普通mosfet驱动器，如ucc27322,但是驱动隔离输出和芯片隔离供电会麻烦些，谢谢。

您好，可以使用外置H桥驱动电路。

1）DRV8301工作电压（8V~60V之间）控制mosfets工作。如果电机为72V，在设计上输入电压降到48V左右（供给8301）， MOSFET侧电压电流反馈给DRV 8301的电路也进行降压设计，方案是否可行？
2）如出线使用12管，2个6管并联连接，DRV8301（负载电流1.5A）是否能驱动工作？总线电流检测、相电流检测是否能提供保护出线侧每相中任何一个MOS管？
3）如出线使用12管，8301过温故障保护功能是否准确？