您好，请教关于TMP431的DXP、DXN连接外部Diode-Connected Transistor时，Rs和Cdiff的取值？

目前使用的三极管为2N3906，使用方法为Diode-Connected Transistor。

对于Rs和Cdiff的取值感到迷惑，怎样才能达到滤除噪声并稳定工作？

如果方便，能否讲解一下取值的具体原理方法和注意事项？

非常感谢！

是否有EMI 的要求？ 一般我们建议采用GND collector-connected

对于Rs 和 Cdiff 的选择需要针对实际设计，所以我们给出了一定的范围。

建议你可以采用将Rs固定为50ohm，然后Cdiff 从10pF到1000pF尝试，

或固定Cdiff 为50pF，然后Rs 从0到1Kohm变化。

有EMI的要求，因为产品是变送器，在工业现场干扰较大。

对于Rs 和 Cdiff 的选择需要针对实际设计是指：

连线的长度、干扰信号的频率或其它？

对于Rs和Cdiff的选择有没有理论依据和计算公式？

非常感谢！

这里RC 滤波的选择和普通以前的普通使用方法一样，都要考虑实际应用环境，包括PCB及外部电磁干扰等。

所以我们需要在大概的范围内针对实际应用来选择。

对于EMI要求高的环境我们建议GND Collector-Connected Transistor，重点注意layout，这个DATASHEET 都有详细的介绍。

另外RC取值可以适当前面建议2 的基础上减小Cdiff 到10pF。

ps. RC滤波通常的确有公式来计算，不过这里涉及到芯片内部，请遵循建议范围内加实际尝试即可。

请问能否用TMP431用双（三）绞线接出来，测大概1米远的距离的物体？如果用三线的GND collector-connected，那个beta值是根据什么来选的？我测40cm距离的时候，测出来的结果变化就好大啊