请问关于HCT245和ABT541的驱动能力

设计目标是用5V TTL来驱动光耦，电流大约需要8-12mA。处理器输出为3.3V TTL电平，经过一个5V供电的缓冲芯片转换成5V电平，高电平串联限流电阻通过拉电流驱动光耦。
考察了两种芯片， SN74ABT541BPW和SN74AHCT245NSR，都是5V供电，TTL输入，前者是TSSOP封装，手册推荐最大拉电流32mA，后者是SOP封装，手册推荐最大拉电流8mA。
 实际发现，空载时SN74AHCT245NSR输出可以达到电源电平，SN74ABT541BPW达不到，带同样的电阻负载，比如470R，输出电压SN74ABT541BPW要比SN74AHCT245NSR低不少，自然电流也就更少，详细数据如下：
SN74ABT541BPW输出管脚接470R电阻负载，电路板上串联33R限流电阻，高电平幅值大约3.00V。输出电流3.00/(470+33)=6.0mA。
SN74AHCT245NSR输出管脚接470R电阻负载，高电平幅值大约4.53V。输出电流4.53/470=9.6mA。
SN74ABT541BPW输出管脚接220R电阻负载，电路板上串联33R限流电阻，高电平幅值大约2.68V。输出电流2.68/(220+33)=10.6mA。
SN74AHCT245NSR输出管脚接220R电阻负载，高电平幅值大约4.09V。输出电流4.09/220=18.6mA。
请问应该如何理解以上测试结果？到底哪个芯片更适合我的需求？有没有更好的方案？ 

亲；你的测试与你的应用是啥关系？数据表是往里流的能力；你测的是往外出的能力。。。不知你要表达或说明啥。

理论上；这个电路非常简单，用颗2N7002就够了，3.3V逻辑足够打开这个MOS，电流能力也足够对付你的应用。

亲，数据表里面灌电流和拉电流都有哦，一般灌电流驱动能力强一点。不过我关心的是拉电流，不是灌电流。我要保证MCU输出高电平让光耦导通。
最早用过加NMOS驱动方案，型号是BSS138，原理上没问题，但是MOS管坏得非常多，经常焊接上去就坏了，不知道2N7002是否有此问题。

用逻辑“1”驱动LED？还是LED必须用逻辑“1”驱动？

从二者的datasheet上来看，SN74AHCT245更符合你的要求，这款芯片接受TTL电平输入，也就是说5V供电时，3.3V LVTTL输入是没问题的，并且输出Voh和Vl 是符合5V CMOS电平标准，相当于实现了一个3.3V 到5V的一个升压转换功能。 看了下ABT541这款，虽然也注释了可以接受TTL电平输入，但看Voh和Vol 的范围，是达不到5V CMOS门限电平的。

ABT541输入是TTL的，Vih满足我的要求，我关心的是输出电流驱动能力，因为光耦是电流驱动的，Voh达不到5V问题不大。
我想知道的是，为什么ABT541标称拉电流能力是HCT245的4倍，但是实际上带同样电阻负载ABT541出电流能力比HCT245小很多。

LED是电流驱动的，不是电平驱动，用灌电流拉电流都可以，具体决定于设计。因为我不想把信号反相，因此用的是正逻辑，即拉电流来驱动LED。

建议在TI买点样片试试吧。市场上的东西；啥都有可能。

货是没有问题的，几个芯片行为也一致，就是想知道其中的原因而已。

唉！即便一致；也无法证明啥。除非你的样片来自TI；其它渠道很难保证。无论如何；即便是水货；也是批产的。为百十千把片水货，伪一次比正品都贵的多。