LVDS热备
在设计中，我设计了TI公司LVDS双热接收（设备Y），具体如下图所示。A机、B机独立供电，但共地。且除了LVDS接口在差分端连接外，A、B机其它地方没有信号相连。
功能描述：设备X通过LVDS31发送信号给设备Y。设备Y中A机、B机都开机，分别接收设备X发送过来 数据，并进行独立处理。
问题：在调试过程中发现，只开A机，A机电流0.556A（举例）；只开B机0.33A（举例）。
将A机、B机都上电，发现A机电流为0.495A，B机0.21A。
请问这是出了什么问题？下图连接是否有可以？该如何解决。谢谢。
请高人指点，TI技术支持请支持
补充：X设备使用SN55LVDS31W，Y设备使用SN55LVDS32W，都是TI公司匹配产品
1. 单A/单B/A+B这三种测试条件下功能是否正常？Y设备是否都能够正确接收来自X设备的数据？
2. X设备的手册上是否有LVDS输出口的用法？是否能直接直流耦合到一个100 Ohm的负载上？会不会是两个接口之间存在着不匹配的问题？
谢谢回复，
1.三种测试条件下，功能均正常，即LVDS32都能正确接收X设备的数据；
2.X设备为TI公司LVDS31发送数据，Y设备为TI公司LVDS32，配对使用。不存在不匹配的情况。
补充，X设备使用SN55LVDS31W，Y设备使用SN55LVDS32W，都是TI公司匹配产品
手册上有写这两颗芯片的工作电流在几十个mA，按说在功能正确的情况下不太可能跑到几百mA的量级。可否把你的电路图发上来？最好能把测试用的框图也发上来，以便评估
这项目是公司的，不让带到网络上。有FPGA，SRAM，FLASH等，8颗LVDS32，4颗LVDS31.测试用部分接上是验证功能是否正常，下面的测试是基于没有测试部分的数据。
A机、B机在原理上完全相同。在排除问题时，保留A机所有LVDS32，然后：（1）我将B机的所有LVDS32、LVDS31拆除，（2）在B机焊接一颗LVDS32.（3）在B机焊接两颗LVDS32.
在（1）中，A机单独开，或者B机单独开，与A机B 机同时开，电流一致（数据在公司，没带回来）。
在（2）中，就出现了最开始描述的电流变化，只开A机，A机电流0.556A（举例）；只开B机0.33A（举例）。
将A机、B机都上电，发现A机电流为0.495A，B机0.21A。
在（3）中，只开A机，A机电流0。556；只开B机0.413；同时开A、B机，A机电流0.445，B机
根据调试发现的现象，大概是在B机增加一个LVDS32，同时开机时，A机电流就会下落0.05A左右.
要是方便的话，可以Call我，叶 tel:18221864768，非常感谢
（2）A8B0=0.556A，B1A0=0.33A，A8B1=0.495A，B1A8=0.21A。等于说A机少了60mA，平均每颗SN32少了8mA；B机少了120mA，平均一颗SN32少120mA。
（3）等于说A机少了111mA，平均每颗少了14mA；B机少了多少没测。
两个疑问
1. B机增加了一个SN32，但是单开时电流增加了0.413-0.33=83mA，不太正常。从手册上看，一颗SN32烧的电流最多也就是18mA，剩下的65mA是哪里多出来的？会不会是因为多了一路SN32，所以后级的FPGA因为多处理一路数据，所以多烧了65mA？
2. 只有Y设备的电流测试数据，没有X设备的。你测一下三种情况下X设备的电流。
单位不能上网，痛苦。。。。
今天回来的匆忙，没将测试数据带回来。目前想确认以下问题:
1）我这种应用是否可行可靠；
2）有否存在潜通路问题。
补充：当A机、B机所有电路都完整时，即（B机8颗LVDS32，4颗LVDS31都工作）。
A机单独开，电流0.5A左右，
B机单独开，电流0.6左右。
A机、B机一起开，A、B机电流各为0.13A左右
1. 对照SN32手册上图5，图8，图9再查一下，看看是不是有电流在B机Power down的时候从SN32漏过去了。
2. 如果怀疑单开一个时有电流泄露的通路，可以在测试的时候看一下X机的电流。看看单开时X机电流多大，两个都开时X机电流又是多大。
经过测试：
1.在B关机的时候，B机的VCC和GND电压仅有0.1V以下，
但经测量，发现存在如下现象：
A机关，B开时，B机单片LVDS32的电流为78mA（LVDS32无输入）；
A机关，B开时，B机单片LVDS32的电流为13.5mA（LVDS32有输入，且输出正确）；
A机开，B开时，B机单片LVDS32的电流为60mA（LVDS32无输入）；
也就是说，这种连接方式与我的输入状态有很大关系。请问这是什么情况？
考虑手册第四页等效输入输出的图，如果B机无输入，那么B机的输入端应该是维持在高电平，或者说，约等于VCC，只有小部分电流通过高阻通路泄放掉。此时等效输入电路X点的电平约等于GND，少量电流从VCC通过几乎被关断的电流源流过两个电阻。再看输出端，输出端的PMOS和NMOS此时看到的是两个低电平，所以上管PMOS会打开，造成的结果是一路直流电流从上管向负载泄放。
当A,B都开但是没有输入时，A，B的等效输入端看到的电阻是两个300K的并联，就是150K，等于说电阻减小了，泄露会增大一些，这样X点的电平会上移一些，造成的结果是输出端上管PMOS的电流比之前减小一些。
当有输入时，不管哪个机器打开，其等效输入端看到的是动态变化的输入，从而等效输出端会动态的向负载抽/灌电流，此时平均电流会很小。
以上分析皆假设等效输出Y output后面都有一个并不是很大的阻性负载。
