+适用于DDR的sink/source电源芯片（TPS51200）设计

以前在DDR硬件电路设计过程中，关于DDR的电源设计部分存在着不合理的部分，下面简单介绍一下DDR的电源：

 DDR的电源可以分为三类：
（1）主电源VDD和VDDQ，
      主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO
      buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。
      电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。
      电源电压的要求一般在±5%以内。
      电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平面铺到管脚上，是最理想的状态，并且在电源入口加大电容储能，每个管脚上加一个100nF~10nF的小电容滤波。

（2）参考电源Vref，
      参考电源Vref要求跟随VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用电源芯片提供，也可以采用电阻分压的方式得到。由于Vref一般电流较小，在几个mA~几十mA的数量级，所以用电阻分压的方式，即节约成本，又能在布局上比较灵活，放置的离Vref管脚比较近，紧密的跟随VDDQ电压，所以建议使用此种方式。需要注意分压用的电阻在100~10K均可，需要使用1%精度的电阻。
      Vref参考电压的每个管脚上需要加10nF的点容滤波，并且每个分压电阻上也并联一个电容较好。

（3）用于匹配的电压VTT(Tracking Termination Voltage)
      VTT为匹配电阻上拉到的电源，VTT=VDDQ/2。DDR的设计中，根据拓扑结构的不同，有的设计使用不到VTT，如控制器带的DDR器件比较少的情况下。如果使用VTT，则VTT的电流要求是比较大的，所以需要走线使用铜皮铺过去。并且VTT要求电源即可以提供电流，又可以灌电流（吸电流）。一般情况下可以使用专门为DDR设计的产生VTT的电源芯片来满足要求（曾经使用过程中用了简单的线性稳压器也没发现出现什么问题，这种方式还是不建议的！）。
      而且，每个拉到VTT的电阻旁一般放一个10Nf~100nF的电容，整个VTT电路上需要有uF级大电容进行储能。
      一般情况下，DDR的数据线都是一驱一的拓扑结构，且DDR2和DDR3内部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到较好的信号质量。而地址和控制信号线如果是多负载的情况下，会有一驱多，并且内部没有ODT，其拓扑结构为走T点的结构，所以常常需要使用VTT进行信号质量的匹配控制。

从上面简单的介绍可以看到 ，用来匹配的电源VTT是需要SINK/SOURCE的，这就和我介绍的题目扯上关系啦，现在我们的工业级产品中全部使用TI的TPS51200，电路简单实用，低成本，详细的介绍还是多参考一下TPS51200的datasheet。

下面图片是在相关设计的示例，仅供参考。

DDR 存储器的电源系统原来还是蛮复杂的. 学习了.

主要是防止信号干扰，DDR读取速度很快。