求教运放芯片的输入偏置电流方向

运放输入偏置电流的方向究竟是流入运放芯片还是流出运放芯片这个怎么确定的？是不是得看运放是三级管还是MOS管组成的，三极管还得看究竟是NPN还是PNP？

有些运放的数据手册上没有给出运放的内部结构图，不知道是三极管还是MOS管组成的，这种情况怎么办呢？

运放正负端的输入偏置电流方向是一致的吧？

请大侠帮忙解答一下，谢谢！

请参考之前FAE分享的有关运放参数的详细解释——输入偏置电路和输入失调电压这部分的介绍：

http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/amplifiers/f/52/t/18865.aspx?pi239031348=1

您好，

输入偏置电流一般是指流入运算放大器输入端的电流。

理想上, 运放正负输入端的偏置电流要相等且能互相抵消。但在实际上, 他们不但不相等, 而且还造成了输入偏差电流input offsetcurrent(输入偏差电流)。

BIPOLAR型的运放（内部有晶体管构成）偏置电流会通常会大于CMOS的运放（内部由FET构成）。

希望这能帮助到您！谢谢！

Hi

如果回答了您的问题，请确认问题已被解答，谢谢！

你的意思运放的输入偏置电流一般是流入运放的是嘛，这样的话数据手册上Ib应该是负值才对，但是Ib的最大值一般是正值，最小值一般是负值，也就是说输入偏置电流会有流出运放的这种情况，现在的问题是到底是流入还是流出具体怎么判断还没有搞清楚，你给的链接文章好像也没有说得太清楚

Hi hua,

我跟资深的同事讨论一下你的问题，一般认为运放Ib的方向是正为流入管脚，负为流出管脚。

对于Bipolar型运放，输入端内部会有电流源对Ib进行补偿，所以才Ib的值才能够做到nA级，此时的Ib大小/正负取决于电流源和输入级三极管基极电流大小的关系。

对于CMOS，JFET，Difet型则Ib则是由ESD保护二极管的漏电流产生的。