运放参数的详细解释和分析-part25, 运放的热阻

又忙了一段时间，今天终于抽出点时间把运放参数的详细解释系列博客写完了。最后一小节还是写点，非常重要而极易被人忽略的问题——运放的热阻。

在运放的datasheet中经常见到如下表所示的参数：来自THS3091的datasheet.

经常看到两个参数，但又常被人忽略。下面先解释什么叫热阻。半导体封装的热阻是指器件在消耗了１[Ｗ]功率时以产生的元件和封装表面或者周围的温度差。这听起来有点难理解，看下面的图，和公式。

T_J= P_D( R_θJA) + T_A

公式看上去有些难理解，一点一点解释。TA是指芯片的环境温度。Tj是指芯片的结温，也是指芯片内部Die的温度。这两者之间的温度差只与芯片的功耗和热阻有关，那通过上面的公式，可以计算出热阻的定义公式：

            上面的定义可以知道热阻的单位，是 温度/功耗。 这也就是上面第一个表格中看到的热阻单位。

            上面说完了热阻的定义，下面就说说常见到的两个热阻参数。第一个是θ_JC, 这个是表示，芯片内部结温junction和芯片封装外壳case之间的热阻， 这个值一般相对比较小。别一个是θ_JA，这个是表示芯片结温junction与芯片ambient的环境之间的热阻,这个热阻一般要比θ_JC大一些。这是由于芯片的外壳向周围环境散热要难一些。因此我们在实验室的室温环境下，去摸高功耗的芯片外壳还是很热。

关于运放的热阻听了上面的一大堆理论后，看下面的图，画的非常清淅，θ_CA也有清淅的示意。

上面讲了很多理论，最后说一点热设计的注意事项。当芯片的工作电流非常大时，芯片的封装热阻比较大时，就要注意散热设计了。如THS3091用+/-15V供电工作在高频时，输出信号幅度又大时，电流可以达到50mA之上。此时芯片的功耗为1.5W以上。采用无散热pad的芯片时，温升会非常高。芯片的datasheet上的热阻是在JEDEC标准定义的板子上测试的。一般实际的电路板散热可能没有那么好，

芯片datasheet上一般给出最高结温为150°C。但长时间工作的芯片，结温不能超过125°C。下面是THS 3091的datasheet中给出的最大结温参数。

关于芯片散热设计请参考下在的应用手册

http://www.pa.msu.edu/hep/d0/ftp/run2b/l1cal/hardware/component_information/ti_slma002_power_pad.pdf

本系列博文至此完。

写在最后：

         断断续续近四个月的时间，终于把运放的基本参数的详细解释和分析系列主题贴完成了。由于时间仓促，内容难免有些粗糙和不完善，其中还不乏错误，有细心的读者认真的指出了几个错误，在此非常感谢网友的支持。这个系列博文其实也是反应了我自己学习运放的过程。因此在四个月前，决定把它们写成文档。有兴趣的网友，欢迎跟贴进一步完善关于运放参数的解释。

接下来可能会开两个主题，一个是关于电流反馈式运放的原理。另一个是关于运放的测试。

看了很受用，继续期待楼主的大作！

全部看完，受益匪浅！

获益匪浅，感谢楼主的贡献，期待您的下一期主题！

很可惜part9--part13的链接失效了，希望能修复！

谢谢Wayne的分享，全部看完后收益匪浅。

通俗易懂的文章，我下载下来学习了。谢谢你的付出。

NICE！

收益颇多

我们要看运放的测试的博客。

感谢楼主的分享。

我阅读了整个系列的文章，但是还有一点疑问，在用运放做精密整流电路的时候，选择运放需要注意哪些参数，或者说有哪些参数是同时受温度和输入信号频率以及幅值影响的呢。

有关运放热阻的细节，还想教一下专家。很多运放有DIP与SOIC两种封装，理论上说两种封装的DIE应该是一样的，但是DIP的因为热阻小一些，片子的标称散耗功率大一些。我在想如果给SOIC封装增加散热片，按理说能降低热阻，这种改进散热状态下相应的散耗功率能提高么？

今天才读到这么好的文章

学习了楼主的这一系列运放的基本参数，感觉很受用。在此，说声谢谢了!