微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > TI模拟硬件电路设计 > 关于电流检测芯片的选型问题

关于电流检测芯片的选型问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

TI团队你好:

我在电流检测芯片选型上遇到了问题,不知该选择什么样的。

我要检测的信号如下:

信号为40k-50k的正弦波或方波,峰峰值在28Vpp-60Vpp,负载电流<0.2A,采集后输出的电压信号最好在±5V——±10V之间,然后送入满量程为±10V的ADC中。

由于我对共模电压输入的概念理解不深,导致我不知道该如何选择合适的芯片。

若有合适的芯片可否告知。多谢

ti 有专用的 电流检测用的电路, inaxxx 系列, 你可以去查一下

inaxxx系列的推荐应用电路中都会有一个Rshunt电阻,我想问问关于这个电阻的选择上有没有要求?是普通的电阻就行了吗,还是说有这种专门采集电流的电阻

Rshunt的中文叫分流器,其实就是功率电阻。通常选用抗冲击的合金电阻,如康铜,锰铜材料的。阻值、瓦数根据电流大小选择,通常有1mΩ~1000mΩ,功率有1W,2W,3W,5W。如果电流小,像你说的小于1A,那用常用的厚膜、薄膜的1W/2512 也应该可以,只要保证电机在堵转时别烧毁了就可。电机在堵转时的电流通常在额定的十倍左右,还要看你的过流保护措施是不是及时、可靠的去切断电机的电源。

   FYI !

假如电流检测芯片的共模输入电压范围是-2V——60V,这咋理解?我要测的信号是正弦波,峰峰值最大应该有60Vpp,

如果电流检测芯片的输入、输出不考虑隔离时,且测量电流是相电流,或是高边时,就要考虑IC能否承受住共模电压耐压,因为输出信号只能是对地的。如果测量电流是在三相桥的低边时,就不需要考虑共模电压,因为此时的共模电压为0。但在高边测量具有较大的优点,远离地平面,噪声小,信号质量会好很多,AD采集、过流保护较可靠。在高可靠应用中,必须采用隔离、高边的方式。

如果电流检测芯片的输入、输出不考虑隔离时,且测量电流是相电流,或是高边时,就要考虑IC能否承受住共模电压耐压,因为输出信号只能是对地的。如果测量电流是在三相桥的低边时,就不需要考虑共模电压,因为此时的共模电压为0。但在高边测量具有较大的优点,远离地平面,噪声小,信号质量会好很多,AD采集、过流保护较可靠。在高可靠应用中,必须采用隔离、高边的方式。

我试着描述我的困惑:

一个正弦波信号峰峰值最大60vpp,经过一个小的分流电阻之后,电阻两端的电压假设是+30V和+29V,那个两者相加÷2,得到的共模电压确实是在-2V——60V之间,但是当电流反向流动的时候,电阻两端的电压不就是负的了吗?比如说是-30V和-29V,两者相加÷2,得到的共模电压-29.5V,显然不在这个范围内。但是又找不到负共模电压范围很大的芯片,我总感觉我理解错了,但是又不知道怎么纠正。

在选择Rshunt时候,主要考虑两个因素:第一是最小负载电流下所需的精度,第二是最大负载电流下的功耗。

固定负载电流下,Rshunt值越小,两端的电压就很小,这就需要考虑放大器本身Vos的影响,测量误差就会增大。Rshunt越大,两端电压也升高,测量精度会提高,但同时Rshunt的功耗也增加。

那么最大Rshunt值的计算公式为:放大器最大满幅输出/Gain,然后再除以最大负载电流

 

asg ssfg

我试着描述我的困惑:

一个正弦波信号峰峰值最大60vpp,经过一个小的分流电阻之后,电阻两端的电压假设是+30V和+29V,那个两者相加÷2,得到的共模电??确实是在-2V——60V之间,但是当电流反向流动的时候,电阻两端的电压不就是负的了吗?比如说是-30V和-29V,两者相加÷2,得到的共模电压-29.5V,显然不在这个范围内。但是又找不到负共模电压范围很大的芯片,我总感觉我理解错了,但是又不知道怎么纠正。

我的理解,未必正确,仅供参考!

INA系列电流检测芯片是将串联在电流回路的电流采样电阻上的微小电压进行放大输出。

“分流电阻”的说法不准确, 电流需要串联检测,电流采样电阻上的电压应当是完全等于被测电流的,即需要串联在被测回路内。

为了减小对被测电路的影响,通常要求电阻的串联分压尽量小,这样也可以降低电阻的功耗,因此通常被测电流很大时选择阻值小的专门电流采样电阻。

关于共模电压:以测量电源输出电流为例,如果采用电阻串联在电源输出正端,则共模电压基本等于电源电压;如果采样电阻串联在电源输出负端(GND端),

共模电呀为0。

可以近似认为采样电阻任意一端的电压为共模电呀,因为采样电阻上的电压很小可以忽略掉。

因为电流采样电阻上的电压降很小,这部分电压是差模电压。需要经过放大后输出。

如果你的电源峰峰值60V是关于GND对称的,那你测量电流的采样电阻的插入位置决定你能否用INA系列芯片,如果串联在GND端,则没有问题。

否则应该不行。

未必准确,仅供参考,欢迎大家批评指正。

asg ssfg

我试着描述我的困惑:

一个正弦波信号峰峰值最大60vpp,经过一个小的分流电阻之后,电阻两端的电压假设是+30V和+29V,那个两者相加÷2,得到的共模电??确实是在-2V——60V之间,但是当电流反向流动的时候,电阻两端的电压不就是负的了吗?比如说是-30V和-29V,两者相加÷2,得到的共模电压-29.5V,显然不在这个范围内。但是又找不到负共模电压范围很大的芯片,我总感觉我理解错了,但是又不知道怎么纠正。

你的理解是针对电流采样电阻放在信号或电源输出正端的,此时你的理解正确。

将采样电阻串联在信号或者电源GND端,则共模电呀近似0.

是我理解错了,交流电流是双向的,不认为他有极性,电流不管是从左往右还是从右往左,他的共模电压都是+29.5V,不是-29.5V

asg ssfg

是我理解错了,交流电流是双向的,不认为他有极性,电流不管是从左往右还是从右往左,他的共模电压都是+29.5V,不是-29.5V

关键看运放输入端对地电压,如果对地电压为-29.5V,共模电压就是-29.5V。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top