微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 嵌入式设计讨论 > MCU和单片机设计讨论 > 单片机驱动能力

单片机驱动能力

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
        51单片机如何输出高电平呢? 我的理解是:当输出高电平时,MOS管截止,电流经内部上拉电阻流向负载,可我疑惑的是如果负载电阻远小于内部上拉电阻,经过分压后负载上得到的电平不是要变成低电平了吗?

P1口结构


是的,所以后级负载阻抗不能太小,否则驱动不了

就是这样的

          谢谢,书上说上拉电阻大概20-30k,一般的负载阻抗都没有那么高吧,那岂不是很少的负载才能驱动啊?

51单片机拉电流驱动能力本来就弱得很

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top