集成运放参数测量仪

做集成运放参数测量仪时，测得的A_VD (交流差模开环电压增益)和K_CMR (交流共模抑制比)值总是很接近，甚至于由最后采集回来的电压变化都很小，难道A_{VD和KCMRji就是很接近的吗？TI公司有已知VIO(输入失调电压)、IIO(输入失调电流)、AVD (交流差模开环电压增益)和KCMR (交流共模抑制比)四项基本参数的标准芯片吗？}

运放的弄环增益多在100dB以上。设计良好的运放CMRR通常也在100dB以上。因此你测出来的这两个值相差不大，就不足为奇了。

TI生产的一大批运放的这些参数都是符合正态分布。因此在datasheet中会给出典型值和最大值。

关于运放的测试，可以参考下面链接的系列文章。

http://www.edn.com/design/test-and-measurement/4389306/The-basics-of-testing-op-amps-part-1--br--Circuits-test-key-op-amp-parameters