关于运算放大器芯片的压摆率设计问题

本人不是做芯片设计的，所以请问懂运算放大器芯片设计的工程师朋友，运放的正向压摆率（SR+）和负向压摆率（SR-）在通常情况下，是很接近的，然而有些运放却不是，如TLV2401系列芯片，压摆率曲线如下图所示

我的问题是：SR+和SR-可以任意设计吗？比如SR+ = 10*SR-。如果可以的话，有什么相关的书籍或资料可以参考吗？我看过关于集成运放Spice宏模型的论文，里面在做宏模型时，提到了SR+和SR-的计算公式，如下图所示

从公式来看，SR+和SR-是可以灵活设计的。

楼主您好，感谢您的经验分享。

影响SR因素的主要原因是内部的补偿电容，补偿电容的目的是让运放拥有稳定的单位增益。 未加补偿电容的运放SR是由内部分布的电容决定的，如这里的C2，C1。 未加补偿电容的运放比加的运放有更快的SR。SR+和SR-的大小我们一般尽量做到匹配，不一样的话对于单纯对于SR来说应该意义不大。 您提供的图中应该仅仅是一个典型，这里连接到C2上的电流是C1上的两倍，所以是2*IC1。 SR 的设计不是任意的，和外部补偿一样，总是需要牺牲的。 楼主如果有更多的观点和信息也欢迎和我们分享。

正向和反向压摆率不同的原因，是输出级结构不同造成的。运放的第一级和中间级之后，输出级上管和下管的实现结构有很多种方式。