双向可控硅 关断困难

描述：光耦控制双向可控硅关断，负载是开关电源。导通正常。
问题：门极=0，负载为开关电源，电流过零点很无规律（时间太短等），不能及时关断。造成控制不及时。
说明：负载不是开关电源时候很容易关断。
求解决办法。

问题的描述又变了，而且描述不清，只好无语了。

小编所用何图?            

应该是电子电源阻值比较大负载功率小造成的原因

由于输入端有整流元件和滤波电容，单相AC/DC的开关电源，输入阻抗呈容性，故供电侧输入电压和输入电流间必然存在较大的相位差。
双向晶闸管作为容性负载的供电开关，每半个电流周期关断一次。在容性负载下，开通信号除掉后，待到下一个电流过零（严格地说，电流降低到晶闸管的维持电流以下）时，就在晶闸管关断的瞬间，其两端的电压会等于线路电压。晶闸管还没有来得及（通常需要几十微妙）达到阻断状态，由于端电压的陡增，太高的电压上升率 dv/dt，迫使晶闸管又反向导通了。这就是换向 dv/dt 引起的误导通。
误导通的解决办法：
1. 选用经过功率因数校正性能且功率因数尽可能接近于 1 的开关电源，可以消除或缓解。
2. 如果开关电源的功率因数做不到高，则必须选用 dv/dt 耐受能力较高的双向晶闸管。
3. 还要在晶闸管两端并接适当的 RC 吸收回路，对电压上升率即换向 dv/dt 加以限制。

你好，这个负载功率小是怎么个说法，是指的功率因素的问题吗?请问能具体说说吗?

可以说是负载的电阻值，阻值越小功率大好控制

负载是光耦检测电路呢?

多路可控硅输出，比如3路，其中一路负责供电，其他两路是真正需要控制输出的。节约成本，那我就把剩余两路接光耦检测，信号传输给MCU监测控制。现在是三路可控硅，信号控制的两路总是被光耦误检测和可控硅关断不了。

可控硅输出端负载可以用一个小型继电器代替光耦

小型继电器风险高

那你最好再并接一个小型变压器