Sic MOSFET SCT30N120 、SCT50N120 功率管

Sic MOSFET
主要优势
.更小的尺寸及更轻的系统
.降低无源器件的尺寸/成本
.更高的系统效率
.降低的制冷需求和散热器尺寸
Sic MOSFET ，高压开关的突破
.SCT30N120 、SCT50N120    （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））
.高温时功率损耗低
.高温工作性能（200C）
.无恢复损耗的体二极管
.驱动方便
.低栅极充电（SCT*N65G2V）
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很好的資料，謝謝樓主分享，希望能與您多多交流，共同發展！