如图 p沟道场效应管IRFR5305做开关时 g端接3.3v s端接5v 场效应管是否会截止 ？

MOS管G与S电压差：5V-3.3V＝1.7V   IRFR5305 VGS＝-3v
所以 IRFR5305不会导通。

Ugs＝5×3/5－3.3×2/5-5＝-3.23v，可以导通

我敢打赌我赢，你敢打赌不?

小编想必是用单片机控制5V电源的通、断。这个电路能正常工作。
重点是：G与S间电压差，是否小于Vgs。小于则截止。

不稳定，或者无法全部打开 P管有压降
建议用下图方式处理，增加个三极管。

效应管的导通与否是由GS电压决定的，图中G的电压3.3V对于S的电压5V是负的，可以导通的。图中VDD没有标出，它才是供电端。

建议增加个NMOS控制PMOS G极

这个电路比较经典，但用在这里与上图相比较，没有改善MOS管导通效果，相反更糟。
上图，那个3.3V端子接地时，则在5V下MOS管Vgs电压约-4.99V
下图，设Q6三极管导通电阻为0，则在5V下MOS管Vgs电压约-4.87V
同时，后加入三极管导致控制逻辑关系变更为“非”，控制程序要做相应改变，不然会出事。

小编的问题是：g端接3.3v s端接5v 场效应管是否会截止 ?
我的回答：IRFR5305会截止，不能导通。5V-3.3V＝1.7V，MOS管g与s间电压差为-1.7V。很明显，IRFR5305管不能导通。（注：换其它型号MOS，是否能截止要看管子的参数Vgs）
当接3.3V端子改接地时，MOS管G与S电压差为5V，此时，只有在此时IRFR5305才能导通。

P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通。当然，导通程度与GS电压大小有关，要达到彻底导通（DS降到0.1V），负2--4V也还嫌小，要达到负15V才行。

3.3V，可能随温度会有漏电流！

手头没有IRFR5305，找了IRF9Z34，短接GD后，实测Vgs特性。每格单位已在图里标注

唉，说这么热乎，小编亲自实验一下就成了，把结果公布出来，让大家学习一下，加深印象。

感觉这个贴子很好！大家在友好气氛里共同探讨技术问题，为追求真理而各抒己见、畅所欲言。无论结果如何，最终使大家加深印象，对提高电路设计水平、灵活应用器件特性具有普遍指导意义。
接下来我们共同观看实验结果:(手头没有IRFR5305，用IRF9Z34替代)
电路接线示意图：

Vgs＝-3.2V  Vds=5V 实验结果:

Vgs＝-3.3V  Vds=5V 实验结果:

Vgs＝-3.4V  Vds=5V 实验结果:

********************************************分界线
为了把问题说透，我们换个思路继续试验：
电路接线示意图：

Vgd＝1.7V   Vds=5V 实验结果:

Vgd＝1.6V   Vds=5V 实验结果:

Vgd＝1.3V   Vds=5V 实验结果:

实验比较粗糙，逆光手机拍照效果不好，请大家包涵！
提议：本问题解答已告一段落，建议小编对参与解答者，给予适当表扬与鼓励，弘扬这种友好学术探讨方式，愿大家在电子发烧友论坛里互相学习，共同进步。

对·每件事情都很认真，支持

向列兵老虎学习！学习你科学和严谨的的治学态度。实验是检验真理的标准。

值得学习，严谨的求实态度。

在电路设计中，常遇到难题。大家在一起探讨研究，取长补短、相得益彰。相信这是电子发烧友论坛的宗旨。握手！

我这个人爱“较真儿”，有时跟同事激烈争论电路问题，但我们的关系特别融洽。呵呵

不懂