3721研发网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 嵌入式设计讨论 > FPGA,CPLD和ASIC > DDR3的read-to-write延迟

DDR3的read-to-write延迟

时间:12-26 整理:3721RD 点击:
从手册上读到的DDR3读命令到写命令延迟为:
BL8:RL + tCCD + 2tCK - WL
BC4:RL + tCCD/2 + 2tCK - WL
不知道是怎么得出的,求解释!
非常感谢!

应该有时序图吧

嗯,仔细揣摩了一下,猜测大概是这样的:
从发出Read命令后的RL时间,第一个读数据出现在data bus上;再经过tCCD的时间(对于BC4是tCCD/2),所有的读数据都被发送到data bus上;然后需要2个周期的时间来建立DQS信号,即2个周期后第一个写数据可以发送到data bus上。因此,从Read命令下发到第一个写数据出现在data bus上经历了RL+tCCD/2+2个周期,减去WL就是Write命令发送的时间,即Read-to-Write延迟。
不知道我理解的对不对……


Copyright © 2017-2020 3721研发网 版权所有

网站地图 鄂ICP备17025094号

Top