资料推荐：Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics: Devices and Modelling

Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics: Devices and Modelling －－－ 纳米CMOS和后CMOS电子：器件和建模
对越来越小和更便携的电子设备的需求已经将具有最小可能的特征尺寸的基于金属氧化物半导体（CMOS）的技术驱动到其物理极限。这呈现各种尺寸相关的问题，例如高功率泄漏，低可靠性和热效应，并且是进一步小型化的限制。为了实现更小的电子器件，包括碳纳米管晶体管，石墨烯晶体管，隧道晶体管和忆阻器（统称为后CMOS器件）的各种纳米器件正在出现，其可以代替传统的和普遍存在的硅晶体管。
在两卷中，本卷书籍介绍了器件和电路级的纳米级CMOS电子器件和新一代后CMOS器件的建模，设计和实现。
第1卷探讨这些纳米电子在器件级，包括建模和设计。涵盖的主题包括高K电介质基器件;石墨烯晶体管;高迁移率n和p沟道;阳极MIM电容器; FinFET器件;下一代处理器的可靠性考虑;用于碳纳米管互连的定时驱动缓冲插入;可控极性纳米线晶体管;用于有效的功率输送的碳纳米管;纳米级忆阻器建模;以及神经形态装置。
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