请问ADS中优化时goal如果想设为目标阻抗附近区域，如何写表达式
时间：10-02
整理：3721RD
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比如优化目标极坐标形式是0.13/-115°，也就是圆图第三象限比较靠近50欧，复阻抗大概在（0.88-j0.21）*50欧 。
你把端口阻抗50歐姆改成你要的阻抗, 然後goal設成S11(或S22) <=-20dB
从元件库中拉入一个Meas Eqn组件和Zin组件，Zin组件关联想要的端口阻抗，比如Zin1=zin(S11,PortZ1)，Meas Eqn组件中写成meas1=pow(real(Zin1)-44,2)+pow(imag(Zin1)+10.5,2)，优化goal设置成meas1<1即可。实际就是要求当前阻抗与目标阻抗“（0.88-j0.21）*50欧”的距离尽量小，meas1的正平方根就是阻抗距离。亲测有效！
谢谢，这样可以达到效果，但可能会使最后作图的时候不太方便阅读，因为端口特性阻抗变了，可能还需要调整归一化的参数。
同理也可设共轭选S21最小。
最后实际使用的时候我想用mag函数和Zin函数，还有目标阻抗写个表达式（某端口输入阻抗减去目标复阻抗，然后取幅度），在DDS结果显示页面中插入eqn初步验证了下应该可行。实在不行就单独用real和imag结合平方来写。
小东哥~