微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > 射频综合技术问答 > TD-LTE B40不同RB EVM 会抖动

TD-LTE B40不同RB EVM 会抖动

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
我做的一款产品,支持TD-LTE B40 ,在测试发射指标时发现在发射功率为23dBm时,测试case 分别为1RB,18RB,100RB。测试发现RB为1和18时EVM 稳定在3%左右,但是在100RB时EVM 开始抖动比较厉害,有时候瞬间EVM 会跳到7%,我看了一下发射功率在1RB,18RB,100RB 时变化不大都在23dBm +-2dB附近。哪位大神能帮忙解释一下,谢谢!

同求大神指点

23dBm是平均功率,1RB、18RB和100RB虽然平均功率一样的,但是峰值功率,或者说是峰均比是不一样的。应该是100RB下的峰均比最大,就是说100RB下的峰值功率会比较高,会导致PA饱和,PA进入饱和时线性度会变差,从而能会导致EVM变差,估计是这个问题。

再次请教大神,如果真的是这样的原因,请问这个是不是软件那部分的原因跟硬件设计是不是关系不大?

“大神”的称号我是真心不敢当啊!
我只是觉得这个问题和PA的性能关系比较大。就是和PA的饱和、线性度关系比较大;和软件的关系比较小,当然也不能完全排除。
还有100RB的射频信号带宽和1RB和18RB的要宽很多,因此100RB下PA的记忆效应也要比1RB和18RB下明显,记忆效应也是一种非线性的体现,也会影响EVM指标。
总之我觉得100RB下EVM指标恶化,和PA的性能,线性度指标关系比较大。也可能是软件造成的,但是可能性比较低。
排除是否是软件引起的,可以把PA去掉,直接比较一下transceiver输出的EVM指标在各RB下的情况如何?
还有你的板子上有LTE-FDD的频段么?如果有的话也可以看看是否FDD频段也有此问题?
如果你能上一个EVM恶化下的星座图分析分析的话,那就更能定位故障问题了。

您就不用谦虚了,在我心里您已经是大神了。我测试是QPSK 调制,我也观察过在EVM 恶化时星座图的那四个矢量点。EVM 好的时候四个点很收敛,就是点聚集在一起。
等到EVM 恶化瞬间,这四个点会伴随发散的现象发生。
请教大神这会是我PA的load 阻抗不收敛导致的问题么?还是PA 收入阻抗没有调好导致的?
还有会不会是PA 的VCC 的layout线宽不够,在100RB 下PA 抽电流比较厉害导致VCC 电压不稳定导致?

不是谦虚,真的不敢当啊,只是我以前也碰到和你类似的问题,也一直没有搞清楚,感兴趣想和你一起讨论,共同进步一下!
你板子上只有TDD?有没有FDD的频段?最好看一下FDD,看FDD下100RB是否也有此现象?
你们用的是什么平台啊,我以前也确实碰到过TDD的频段,EVM有瞬间恶化的现象。你最好用CMW500看一下EVM,CMW500有分别测CP部分和PAYLOAD部分的EVM值的功能,看一下到底是哪部分超了?
反正TDD的EVM确实不怎么好弄。大多数情况是PA的问题,就如你说的有负载阻抗匹配的问题,电源供电和退耦滤波的问题,还有PA本身性能的问题。你可以换换其他品牌的PA看看,确实不好搞啊!

我这上面只有TDD的频段。最近忙其他的事情去了。等过一段再看看这个问题。还是非常感谢您!

非常感谢!

你好,有个问题请教一下:在测试TD-LTE传导输出功率时,DOWNLINK RB的大小会影响测试结果,那DOWNLINK RB的数值,你们是设定为多少呢?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top