关于射频PA偏置电路的疑问
时间:10-02
整理:3721RD
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这两天我看到一篇文章讲WLAN(2.4G左右)中的PA,其中讲PA偏置电路的那一块,
我有点不太明白。还望各位大神指点一二!
下图标红的部分。
问题1:
Qb基极电流变大的原因是否是:C2和R2的并联阻抗在Input的作用下变小?
(注解上面那句话,是不是因为Input是比较高频,在高频下,C2和R2并联阻抗比较小?)
如果是的话,那么如果Input频率不变的话,是否C2和R2的并联阻抗也应该不变。
为什么在功率增大的时候,Qb的基极电流也会变大。
问题2:
为什么Q2的基极电流变大,就会导致Q2的基-射电压下降?
另外,
Cb'e的存在是否可以解释:为什么Q2的基极电流变大,就会导致Q2的基-射电压下降?
我有点不太明白。还望各位大神指点一二!
下图标红的部分。
问题1:
Qb基极电流变大的原因是否是:C2和R2的并联阻抗在Input的作用下变小?
(注解上面那句话,是不是因为Input是比较高频,在高频下,C2和R2并联阻抗比较小?)
如果是的话,那么如果Input频率不变的话,是否C2和R2的并联阻抗也应该不变。
为什么在功率增大的时候,Qb的基极电流也会变大。
问题2:
为什么Q2的基极电流变大,就会导致Q2的基-射电压下降?
另外,
Cb'e的存在是否可以解释:为什么Q2的基极电流变大,就会导致Q2的基-射电压下降?
求大神指点一二~
nonlinearity