mom仿真结果和实测的比对
为什么你仿真的是S(4,1)，测试的是S(2,1)，你的仿真testbench和测试bench分别是怎样的?贴图看一下呢
仿真的时候我多选了几个port（主要是想看几根线之间的耦合程度，），测试的时候只选了我要看的一根线的插损，因此有S41和S21的差异，这个可以不用去管，反正就是对一根长长的微带线的插损的仿真结果和实测结果，呵呵！
不过我现在基本上知道原因所在了，应该是铜的电导率，板材的介电常数和损耗角参数设置和实际情况不一致造成的，正在问PCB厂家要他们的数据来修正一下后再看一下结果，多谢关注了哈！
我是担心你在仿真的时候，S41意味着别的端口（2、3等）加了匹配负载。如果测试时不是这样的负载就会有差别。
2、3端口是另外一根微带线的两个口，应该不会有太大的影响吧?等会儿去看一下，多谢提醒啊！
* 端口的阻抗特性差异 （实机测试的端口绝不是50+J*0）即使是已经校正的！
* MOM 的预设是"无限大"的Ground。
* FEM 才是和实际接近的"近似实物PCB"。
*** 最重要的是：仿真出来的整体趋势"近似"实测值的趋势 >92％（就算成功！），如果要到100%！?（人脑和经验值）才是关键！
我是PCB上挖出来的，因此不是无限“ground”，不过发现挖的地太小了，也和实际PCB不一致，出来的结果差异很大，但是挖得太大了，内存又不够用，跑了一半就内存爆仓，over！
FEM的话实在是需要更多的内存，搞不定啊！
看来还得去加内存。
就我个人经验来说，首先有限地和无限地不应该有这么大的差距，所以首先不要在这个上面找原因；其次，微带线的损耗主要由三部分构成，导体损耗、介质损耗、辐射损耗，导体损耗就看设置的导电率和铜箔粗糙度了，介质损耗就看DF值了；另外，如果覆盖了油墨，那么它的损耗也要考虑进来。
嗯，同意楼上的！