mom仿真结果和实测的比对
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为什么你仿真的是S(4,1),测试的是S(2,1),你的仿真testbench和测试bench分别是怎样的?贴图看一下呢
仿真的时候我多选了几个port(主要是想看几根线之间的耦合程度,),测试的时候只选了我要看的一根线的插损,因此有S41和S21的差异,这个可以不用去管,反正就是对一根长长的微带线的插损的仿真结果和实测结果,呵呵!
不过我现在基本上知道原因所在了,应该是铜的电导率,板材的介电常数和损耗角参数设置和实际情况不一致造成的,正在问PCB厂家要他们的数据来修正一下后再看一下结果,多谢关注了哈!
我是担心你在仿真的时候,S41意味着别的端口(2、3等)加了匹配负载。如果测试时不是这样的负载就会有差别。
2、3端口是另外一根微带线的两个口,应该不会有太大的影响吧?等会儿去看一下,多谢提醒啊!
* 端口的阻抗特性差异 (实机测试的端口绝不是50+J*0)即使是已经校正的!
* MOM 的预设是"无限大"的Ground。
* FEM 才是和实际接近的"近似实物PCB"。
*** 最重要的是:仿真出来的整体趋势"近似"实测值的趋势 >92%(就算成功!),如果要到100%!?(人脑和经验值)才是关键!
我是PCB上挖出来的,因此不是无限“ground”,不过发现挖的地太小了,也和实际PCB不一致,出来的结果差异很大,但是挖得太大了,内存又不够用,跑了一半就内存爆仓,over!
FEM的话实在是需要更多的内存,搞不定啊!
看来还得去加内存。
就我个人经验来说,首先有限地和无限地不应该有这么大的差距,所以首先不要在这个上面找原因;其次,微带线的损耗主要由三部分构成,导体损耗、介质损耗、辐射损耗,导体损耗就看设置的导电率和铜箔粗糙度了,介质损耗就看DF值了;另外,如果覆盖了油墨,那么它的损耗也要考虑进来。
嗯,同意楼上的!