功放进入非线性区 or 阻抗不匹配？

小弟有一问题，求助各位大神：

图中是射频板最后的功放部分，工作频率在800MHz以内，其中
ALMP-5075，是minicircuit公司的50欧转75欧阻抗匹配芯片，工作频段在直流到3GHz，插入损耗为5.7dB，输入功率最大值为0.25W，
BGY888，是NXP公司的CATV功率放大模块，输入输出阻抗为50欧，增益为34dB，工作在40MHz-860MHz，输入功率最大值为6dBm，平坦度为0.5dB。
这张图的前边是一块可变增益放大器（VGA），ADL5592，断开后边的电路连接，其输出在625MHz时可达10dBm。
功放模块BGY888前后的PCB走线都做过阻抗匹配，特征阻抗是75欧。
如果正常工作的话，预期625MHz频点处的输出能超过30dBm，也就是1W（10-5.7+34-5,7=32.6dBm），但实际只有22dBm。
不太明白这是什么原因，请各位大神指点。

从这幅图可以看出，有很大的可能性是在功放输出端失配，你可以把最后一个ALMP-5075去掉测试其功率，这样子，可以检测ALMP-5075插损值到底是多少，另外也可以计算功放增益为多少，资料只是参考，你可以单个器件一路侧过去。

你说的是测试结果吗?我感觉你那些电容都有问题。
几百MHz的频率用那么大的电容（0.1uF) ?恐怕已经超过电容的自谐振频率了吧，电容已经变成感性元件了
最多用个几十pF就够了，最好查一下你用的电容的元件参数。

昨天看错了，重新看了下，小编的主要问题是后面那只ALMP-5075饱和了
其输入端功率为10-5.7+34=38.3dBm，远远大于额定最大输入功率0.25W （26dBm）
另外，级间电容看不清，如果是0.1uF确实太大，如果是0.1nF则低频段可能无法通过，用1-2nF比较合适

不知道ALMP-5075的内部结构，估计是用PN结构建的电阻网络，所以在大功率下是有非线性的。
小编可以通过回退输入功率验证。

如果是多晶硅或扩散电阻，则应检查末级ALMP-5075是否已损毁