关于SMIC模型参数

好像是氧化层电容

Cox = esi / tox
esi 为硅的介电常数，（相对介电常数3.9）
tox 在cadence中做完DC仿真后，可以通过查看model parameter得到，具体数值记不清了。
好像我上次算的smic0.18的n18管的Cox为0.0089，记不太清了

电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数，以字母ε表示，单位为法/米(F/m)
　　定义为电位移D和电场强度E之比，ε=D/Ε。电位移D的单位是库/二次方米(C／m^2)。
　　某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0之比称为该电介质的相对介电常数εr ，εr＝ε／ε0是无量纲的纯数，εr与电极化率χe的关系为εr＝1＋χe。
　　真空介电常数：ε0= 8.854187817×10^-12 F/m
SIO2的相对介电常数为3.9（半导体物理上有）
Cox = esi / tox
注意这里的tox单位是m
结果是0.000892F/m^2

SMIC的那些模型参数貌似不准啊，直流计算偏差大

路过，了解了

fsdaffffffffff