E币每日电源有奖问答（1.18）

此活动主要是让大家不要再水贴，要形成讨论，发点有意义的回复，给求助者，新人以更多更好地帮助。
回答问题奖20e币，每题10e币（根据回答酌情奖励）

1.在大电流应用场合，有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联，哪些不可以?原因是什么?
2.IGBT有“电导调制”的特点，应此igbt在大电流，较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?

第一题；mosfet可直接用于并联，igbt不方便。因为mosfet是负温度系数，各个并联管之间可以平衡：T上升，Rds上升－》I减小。而igbt是正温度系数不行，同理，双极型三极管也不可以简单并联。如果要并联，必须串联在e极一个小电阻，但这就降低了效率，不太实用。
另外igbt还有latch的问题，详情参考相关文献。
第三题：电导调制其实很简单，也就是Uce之间的等效电路模型为一接近理想的二极管。饱和电压不随着电流增加而增加，导通损耗为P~I；而mosfet的ds等效电路为一个电阻，损耗为P~I^2。因此在通态损耗占主要因素的场合（如电机驱动），igbt更有优势。

?

有点高深，暂时还不懂。

慢慢参悟来自: Android客户端

1.在大电流应用场合，有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联，哪些不可以?原因是什么?
2.IGBT有“电导调制”的特点，应此igbt在大电流，较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?
回答：mosfet管可以并联试用，扩大电流功率。
       igbt不可以并联试用，是因为它的特性结构说决定的。